Оперативная память 7 класс информатика доклад

Обновлено: 16.05.2024

Для учеников 1-11 классов и дошкольников
Бесплатные сертификаты учителям и участникам

Система оперативной памяти. DRAM

Оперативная память компьютера - это часть системы памяти ЭВМ, в которую процессор может обратиться за одну операцию (jump, move и т. п.). Предназначена для временного хранения данных и команд, необходимых процессору для выполнения им операций. Оперативная память передаёт процессору команды и данные непосредственно, либо через кэш-память. Каждая ячейка оперативной памяти имеет свой индивидуальный адрес. В современных вычислительных устройствах, оперативная память выполнена по технологии динамической памяти с произвольным доступом. Понятие памяти с произвольным доступом предполагает, что текущее обращение к памяти не учитывает порядок предыдущих операций и расположения данных в ней. ОЗУ может изготавливаться как отдельный блок, или входить в конструкцию однокристальной ЭВМ или микроконтроллера.

Содержащиеся в оперативной памяти данные доступны только тогда, когда на модули памяти подаётся напряжение, то есть, компьютер включен. Пропадание на модулях памяти питания, даже кратковременное, приводит к искажении либо полному пропаданию содержимого ОЗУ. В общем случае, оперативная память содержит данные операционной системы и запущенных на выполнение программ, поэтому от объёма оперативной памяти зависит количество задач, которые одновременно может выполнять компьютер. Самые распространенные объемы оперативной памяти сейчас на компьютерах: 1, 2, 3, 4 ГБ. Этот объем может состоять как из одной линейки (платы) оперативной памяти, так и из нескольких, установленных в разные слоты. Самыми популярными производителями являются: Hynix (HYUNDAI), Samsung, Corsair, Kingmax, Transcend, Kingston, OCZ.

Динамическая оперативная память

Используется в большинстве систем оперативной памяти персональных компьютеров. Основное преимущество этого типа памяти состоит в том, что ее ячейки упакованы очень плотно, т.е. в небольшую микросхему можно упаковать много битов, а значит, на их основе можно построить память большей емкости. Файлы компьютерной программы при ее запуске загружаются в оперативную память, в которой хранятся во время работы с указанной программой. Процессор выполняет программно реализованные команды, содержащиеся в памяти, и сохраняет их результаты. Оперативная память хранит коды нажатых клавиш при работе с текстовым редактором, а также величины математических операций. При выполнении команды Сохранить (Save) содержимое оперативной памяти сохраняется в виде файла на жестком диске.

Ячейки памяти в микросхеме DRAM – это конденсаторы, удерживающие заряды. Проблемы, связанные с памятью этого типа, вызваны тем, что она динамическая, т.е. должна постоянно регенерироваться, так как в противном случае электрические заряды в конденсаторах памяти будут “стекать”, и данные будут потеряны. Регенерация происходит, когда контроллер памяти системы берет крошечный перерыв и обращается ко всем строкам данных в микросхемах памяти. Большинство систем имеет контроллер памяти, который настроен на соответствующую промышленным стандартам частоту регенерации, равную 15 мкс.

Регенерация памяти, нагружает процессор, так как каждый цикл регенерации по длительности занимает несколько циклов центрального процессора. В старых компьютерах циклы регенерации могли занимать до 10% процессорного времени, но в современных системах, расходы на регенерацию составляют менее 1% процессорного времени. Некоторые системы позволяют изменить параметры регенерации с помощью программы установки параметров CMOS, но увеличение времени между циклами регенерации может привести к тому, что в некоторых ячейках памяти заряд “стечет”, а это вызовет сбой памяти.

В устройствах DRAM для хранения одного бита используется только один транзистор и пара конденсаторов, поэтому они более вместительны, чем микросхемы других типов памяти. Транзистор для каждого однозарядного регистра DRAM использует для чтения состояния смежного конденсатора. Если конденсатор заряжен, в ячейке записана 1; если заряда нет – записан 0. Заряды в конденсаторах все время стекают, вот почему память должна постоянно регенерироваться. Даже мгновенное прерывание подачи питания или какой-нибудь сбой в циклах регенерации приведет к потере заряда в ячейке DRAM и к потере данных.

Запоминающее устройство с произвольным доступом

Это - один из видов памяти, позволяющий в любой момент времени получить доступ к любой ячейке по её адресу на чтение или запись. Предназначены для записи, хранения и считывания информации в процессе её обработки. Подразделяются на статические и динамические. В статических ОЗУ запоминающий элемент представляет собой триггер, изготовленные по той или иной технологии (ТТЛ, ЭСЛ, КМОП и др.), что позволяет считывание информации без её потери. В динамических ОЗУ элементом памяти является ёмкость (входная ёмкость полевого транзистора), что требует восстановления записанной информации в процессе её хранения и использования. Это усложняет применение ОЗУ динамического типа, но позволяет реализовать больший объём памяти. В современных динамических ОЗУ имеются встроенные системы синхронизации и регенерации, поэтому по внешним сигналам управления они не отличаются от статических.

Внутренняя память – один из важнейших элементов компьютера, позволяющий ему корректно работать. В ней содержится информация, к которой обращается компьютер в процессе работы.

Внутренняя память компьютера состоит из нескольких частей

Оперативная память
Кэш-память
Специальная память

Оперативная память напрямую связана с процессором, в ней сохраняются программы и данные, необходимые для реализации этих программ. Процессор компьютера может работать только с данными, которые содержатся в оперативной памяти.

Она состоит из группы кристаллических ячеек, в которых хранится информация. Минимальный объем информации – бит. Это объем информации в один двоичный знак (0 или 1). И соответственно в каждой ячейке оперативной памяти сохраняется один бит информации. Свойство памяти, помогающее распределять информацию по ячейкам, разделять ее на мелкие составные части называют дискретностью. 8 бит составляют один байт. А каждый байт информации имеет в памяти компьютера свой адрес. Процессор отыскивает нужные ему данные во внутренней памяти именно по адресу. Еще более крупная единица хранения информации – машинное слово. Оно состоит из нескольких байтов, которые процессор обрабатывает в ходе одной операции. Объем оперативной памяти в современных компьютерах постоянно растет и достигает уже нескольких Гигабайт.

С точки зрения действия различают два вида оперативной памяти: статическую и динамическую. Статическая память проще в использовании, но дороже, и она в состоянии хранить меньший объем информации. Триггер динамической памяти более быстрый, но значительно сложнее и дороже. В современных компьютерах применяются оба вида памяти.

И статическая и динамическая память сохраняет информацию, которая кодируется с помощью электрического сигнала. Поэтому при выключении электричества происходит потеря информации. Таким образом понятно, что оперативная память нужна для временного хранения данных.

Оперативная память - это набор микросхем, которые располагаются на плате компьютера. Части (или модули) оперативной памяти могут отличаться количеством контактов (SIMM или DIMM), быстродействием, объемом размещенной на них информации.

Другой важной характеристикой памяти является быстродействие, которое определяется максимальным числом операций, которые может выполнять устройство за единицу времени. Чтобы компьютер работал эффективно и быстро, необходимо, чтобы быстродействие компьютера соответствовало этой характеристики памяти.

Кэш-память обеспечивает согласованную работу различных устройств компьютера, компенсируя разницу в быстродействии процессора и оперативной памяти. Этим видом памяти управляет контроллер, который прогнозирует команды используемые в данный момент процессором и своевременно подкачивает их из всего объема оперативной памяти.

В специальную память компьютера входят следующие виды памяти:

Постоянная память
Перепрограммируемая память
Видеопамять
Память CMOS RAM

На них записана информация, которую не может изменить пользователь компьютера: данные о конфигурации устройств, о составе оборудования и режимах его работы.

Знания о видах внутренней памяти помогают пользователю грамотно и безопасно эксплуатировать компьютер, максимально используя его возможности.

Внутренняя память компьютера

Название этому растению дал К. Линней. Он для названия взял имя этрусского полубога Тагеса, который обладал исключительной красотой. Родиной бархатцев является Центральная и Южная Америка. В Европу их завезли в XVI веке,

Рецензией называется критический отзыв или заключение эксперта. Главными в данном отзыве или заключении является профессиональная критика и анализ любого произведения или же какой ни будь работы в научной сфере. Может быть все что угодно,

Мы привыкли к цифрам, которые называются арабскими. Называются они так, потому что впервые были обоснованны и напечатаны на арабском языке. Это несложно и не составляет проблем для понимания. В системе счисления эти же самые цифры будут

Оперативное запоминающее устройство является, пожалуй, одним из самых первых устройств вычислительной машины. Она присутствовала уже в первом поколении ЭВМ по архитектуре, созданных в сороковых — в начале пятидесятых годов двадцатого века. За эти пятьдесят лет сменилось не одно поколение элементной базы, на которых была построена память.

Впрочем, объем устанавливаемой оперативной памяти — это еще не все. Если несколько лет назад доминирующее положение на рынке занимала память РС 100, а позднее РС 133 8ЕаАМ, то сейчас существует несколько различных типов памяти: DDR/333/400/533 ЗОНАМ, ОiЭК2-400/533/667/800, а к 2009 году аналитики прогнозируют господство ОО1 В этой главе мы проведем краткий ликбез по различным типам и технологиям памяти и рассмотрим основные различия типов памяти между собой. Однако, чтобы разобраться во всех этих достижениях научной мысли, нам придется сделать небольшое отступление и рассказать о главных принципах функционирования оперативной памяти и об истории ее развития.

Оперативная память, которая также именуется RАМ(RandomAccessMemory— память с произвольным доступом), используется центральным процессором для совместного хранения данных и исполняемого программного кода. Отличительной особенностью RАМ является ее быстродействие, которое очень важно для современных процессоров. По принципам действия RАМ можно разделить на динамическую и статическую. Различие между этими типами памяти заключается в принципе хранения информации.

Поскольку элементарной единицей информации является бит, оперативную память можно рассматривать как некий набор ячеек, каждая из которых может хранить один информационный бит. Различие между динамической и статической памятью заключается в конструктивных особенностях элементарных ячеек для хранения отдельных битов.

В статической памяти ячейки построены на различных вариантах триггеров — транзисторных схем с двумя устойчивыми состояниями. После записи бита в такую ячейку она может пребывать в одном из этих состояний и сохранять записанный бит сколь угодно долго — необходимо только наличие питания. Отсюда и название памяти — статическая, то есть пребывающая в неизменном состоянии. Достоинством статической памяти является ее быстродействие, а недостатками — высокое энергопотребление и низкая удельная плотность данных, поскольку одна триггерная ячейка состоит из нескольких транзисторов и, следовательно, занимает немало места на кристалле. К примеру, микросхема емкостью 4 Мбит состояла бы более чем из 24 млн. транзисторов, потребляя соответствующую мощность.

В динамической памяти элементарная ячейка представляет собой конденсатор, выполненный по КМОП-технологии. Такой конденсатор способен в течение некоторого, хотя и очень малого, промежутка времени сохранять электрический заряд, наличие которого можно ассоциировать с информационным битом. Упрощая, можно сказать, что при записи логической единицы в ячейку памяти конденсатор заряжается, при записи нуля — разряжается. При считьтвании данных каждый конденсатор разряжается (через схему считывания), и если заряд конденсатора был ненулевым, то на выходе схемы считывания устанавливается единичное значение. Кроме того, поскольку при считывании конденсатор разряжается, его необходимо зарядить до прежнего значения. Поэтому процесс считывания (обращения к ячейке) сочетается с подзарядкой конденсаторов, то есть с регенерацией заряда. К тому же, если обращения к ячейке не происходит в течение длительного времени, то со временем за счет токов утечки конденсатор разряжается (неизбежный физический процесс) — и информация теряется. Вследствие этого память на основе массива конденсаторов требует постоянного периодического подзаряда конденсаторов. Для компенсации утечки заряда применяется регенерация, основанная на периодическом циклическом обращении к ячейкам памяти, так как каждое такое обращение восстанавливает прежний заряд конденсатора. Регенерация в микросхеме происходит одновременно по всей строке матрицы при обращении к любой из ее ячеек, то есть достаточно циклически перебрать все строки. К достоинствам динамической памяти относятся высокая удельная плотность размещения данных и низкое энергопотребление, а к недостаткам — низкое быстродействие по сравнению со статической памятью.

Самый простой способ увеличения максимальной пропускной способности памяти заключается в увеличении частоты ее работы. Однако на практике реализовать это совсем не просто. Вспомним, что элементарной ячейкой динамической памяти является конденсатор — инерционное по своей природе устройство. Чтобы произвести считывание информации с конденсатора, необходимо его разрядить, для чего требуется определенное время, пропорциональное емкости конденсатора, сделать это мгновенно невозможно. Следовательно, нельзя повышать частоту ядра памяти до бесконечности. Кроме того, динамическая память требует периодической регенерации, чтобы восстанавливать заряды конденсаторов, а для зарядки конденсаторов тоже необходим определенный временной интервал. В результате повышение частоты ядра памяти сопряжено с непреодолимыми трудностями. Конечно, применение более миниатюрных конденсаторов повышает их быстро‚действие, однако для этого нужно использовать иную проектную норму при производстве чинов памяти. К тому же переход на новый технологический процесс производства не может кардинально увеличить скорость работы памяти.

Поэтому, кроме банального увеличения частоты работы памяти, для увеличения ее пропускной способности часто используют иные приемы. О некоторых из них, таких как пакетный режим передачи и организация чередующихся банков, мы уже упоминали. Однако более кардинальным способом увеличения пропускной способности памяти стал переход к стандарту DDR. Синхронная динамическая память DDRASDRAM пришла на смену SDRAM и обеспечивает в два раза большую пропускную способность. Аббревиатура DDR (DoubleDataRate) в названии памяти означает удвоенную скорость передачи данных. Аналогично обычную SDRAM-память называют SDR (SingleDataRate), то есть памятью с одинарной скоростью передачи.

Как уже отмечалось, основным сдерживающим элементом увеличения тактовой частоты работы памяти является само ядро памяти (массив элементов хранения). Однако, кроме ядра памяти, в модуле присутствуют и буферы промежуточного хранения (I/О logiс), через которые ядро памяти обменивается данными с шиной памяти. Эти буферы имеют значительно более высокое быстродействие нежели само ядро, поэтому тактовую частоту работы самой шины памяти и буферов обмена можно легко увеличить. Именно такой способ и используется в DDR-памяти.

В обычной SDRAM-памяти ядро и буферы обмена работают в синхронном режиме на одной и той же частоте. Передача каждого бита из буфера происходит с каждым тактом работы ядра памяти

В DDR-памяти каждый буфер ввода-вывода передает два бита за один такт, то есть фактически работает на удвоенной тактовой частоте, оставаясь при этом полностью синхронизированным с ядром памяти. Однако, чтобы такойрежим работы стан нения). возможным, необходимо, чтобы эти два бита были доступны буферу ввода—вывода на каждом такте работы памяти. Дляэтого требуется, чтобы каждая команда чтения приводила к передаче из ядра памяти в буфер сразу двух бит. Для этого используются две независимые линии передачи от ядра памяти к буферам ввода-вывода. Из буфера ввода-вывода биты затем поступают на шину данных в требуемом порядке.

Поскольку при таком способе организации работы памяти происходит предвыборка двух бит перед передачей их на шину данных, этот способ также называет Рrе- каждым fetch 2 (предвыборка 2).

Чтобы синхронизировать работу ядра памяти и буферов ввода-вывода, используется одна и та же тактовая частота (одни и те же тактирующие импульсы). Только если в самом ядре памяти синхронизация осуществляется по положительному фронту тактирующего импульса, то в буфере ввода-вывода для синхронизации используется как положительный, так и отрицательный фронт тактирующего импульса (рис. 3.7). Таким образом, передача двух бит в буфер ввода-вывода по двум раздельным линиям осуществляется по положительному фронту тактирующего импульса, а их выдача на шину данных происходит как по положительному, так и по отрицательному фронтам тактирующего импульса. Это обеспечивает в два раза более высокую скорость работы буфера и, соответственно, вдвое большую пропускную способность памяти.

Все же остальные принципиальные моменты DDR-памяти не изменились: структура нескольких независимых банков позволяет совмещать выборку данных из одного банка с установкой адреса в другом банке, то есть можно одновременно иметь две открытые страницы. доступ к этим страницам чередуется (Bankinterleaving), что приводит к устранению задержек и обеспечивает создание непрерывного потока данных.

DDR-память настраивается в процессе работы путем установки соответствующих регистров, как и SDRAM-память. Кроме того, DDR-память, как и SDRAM, предназначена для работы с системными частотами 100 и 133, 166 и 200,216,250 и 266 МГц DDR-память, работающую на частоте 100 МГц, иногда обозначают как DDR2ОО, подразумевая при этом, что > частота памяти составляет 200 МГц (данные передаются два раза за такт). Аналогично, при работе памяти на частоте 133 МГц используют обозначение DDR266, при частоте 166 МГц — DDRЗЗЗ, при частоте 200 МГц - DDR400 и т. д. Нетрудно рассчитать и пропускную способность DDR-памяти. Учитывая, что ширина шины данных составляет 8 байт, для памяти DDR2ОО получим 200 МГц х 8 байт = 1,6 Гбайт/с, для памяти DDR266 — 2,1 Гбайт/с, для DDR333 — 2,7 Гбайт/с, для DDR4ОО — 3,2 Гбайт/с, для DDR433 — 3,5 Гбайт/с, для DDR500 — 4,0 Гбайт/с, для DDR5ЗЗ — 4,3 Гбайт/с.

Кроме частоты, память, как уже отмечалось, характеризуется схемой тайминга (tCL→tRCD→tRp). для памяти DDR2ОО тайминг всегда 2-2-2, а вот для остальных типов памяти тайминг может быть различным, К примеру, встречаются тайминги 3-3-3, 2,5-3-3, 2-3-3 и 2,5-2-2.
В настоящее время память DDR4ОО является наиболее распространенной. Кроме того, во всех современных чипсетах частота шины памяти не превосходит 400 МГц, а память типа DDR433, DDR500 и DDR5ЗЗ является нестандартизированной.

Возникает логичный вопрос: если эти типы памяти не поддерживаются материнскими платами и не стандартизированы, то зачем они вообще нужны?

Дело в том, что память типа DDR433, DDR500 и DDR533 отличается от остальных типов памяти только способностью работать на более высоких частотах ядра памяти. Это, во-первых, не препятствует ее использованию и на более низких частотах, а во-вторых, позволяет применять при разгоне системы. Кроме того, при использовании этих типов памяти на частоте 400 МГц возможно уменьшение таймингов памяти ( идеальный случай соответствует таймингу 2-2-2), что можно рассматривать как своеобразный разгон памяти.

Если следовать терминологии SDR (SingleDataRate) и DDR (DoubleDataRate), то память DDR2 было бы логично назвать QDR (QuadraDataRate), так как этот стандарт подразумевает в четыре раза большую скорость передачи. То есть в стандарте DDR2 при пакетном режиме доступа данные передаются четыре раза за один такт. Для организации данного режима работы памяти необходимо, чтобы буфер ввода-вывода работал на учетверенной частоте по сравнению с частотой ядра памяти. Достигается это следующим образом: ядро памяти, как и прежде, синхронизируется по положительному фронту тактирующих импульсов и с приходом каждого такого положительного фронта по четырем независимым линиям передает в буфер ввода-вывода четыре бита информации (выборка четырех битов за такт). Сам буфер ввода-вывода тактируется на удвоенной частоте ядра памяти и синхронизируется как по положительному, так и по отрицательному фронту этой частоты. То есть с приходом положительного и отрицательного фронта происходит передача информации в мультиплекспом режиме на шину данных (рис. 3.8). Это позволяет за каждый такт работы ядра памяти передавать четыре бита на шину данных, то есть вчетверо повысить пропускную способность памяти.

По сравнению с DDR, память DDR2 позволяет обеспечить ту же пропускную способность, но при вдвое меньшей частоте ядра. К примеру, в памяти DDR4ОО ядро функционирует на частоте 200 МГц, а в памяти DDR2-400 — на частоте 100 МГц. В этом смысле память DDR2 имеет значительно большие потенциальные возможности для увеличения пропускной способности по сравнению с памятью DDR

Память DDRЗ является логическим развитием стандарта DDR2. Стандарт DDRЗ был принят летом 2007 года, однако многие производители еще до официального утверждения спецификации успели представить новые модули. Как уже неоднократно упоминалось, основную долю рынка этот стандарт завоюет к 2009 году.

Принципиальное отличие памяти DDRЗ от DDR2 заключается в реализации механизма 8n- Рrefeth вместо 4n- Prefeth.

Для организации данного режима работы памяти необходимо, чтобы буфер ввода- вывода (мультиплексор) работал на частоте в 8 раз большей по сравнению с частотой ядра памяти. достигается это следующим образом: ядро памяти, как и прежде, синхронизируется по положительному фронту тактирующих импульсов, а с приходом каждого положительного фронта по восьми независимым линиям в буфер ввода-вывода (мультиплексор) передаются 8п бит информации (выборка 8n бит за такт). Сам буфер ввода-вывода тактируется на учетверенной частоте ядра памяти и синхронизируется как по положительному, так и по отрицательному фронту данной частоты. Это позволяет за каждый такт работы ядра памяти передавать восемь слов на шину данных, то есть в восемь раз повысить пропускную способность памяти.

По сравнению с DDR2, память DDRЗ позволяет обеспечить ту же пропускную способность при вдвое меньшей частоте ядра. К примеру, в памяти DDR2-800 ядро функционирует на частоте 200 МГц, а в памяти DDR3-800 — на частоте 100 МГц (рис. 3.9).

Понятно, что в случае реализации архитектуры 8n-Рrefeth длина пакета (BurstLength) данных не может бытьменее 8. Поэтому для памяти DDR2 минимальная длина пакета составляет 8.

Упрощенная временная диаграмма работы DDRЗ-памяти дляВL=8, tRRD = 2, tRSD = З и tСL. = 2 показана на рис. 3.10.

Конечно, реализация механизма 8n-Рrefeth вместо 4n-Ргefeth это не единственное различие между памятью DDR и DDR2. Другими нововведениями, реализованными в памяти DDRЗ, являются технология динамического терминирования сигналов (dynamicOn-DieTermination ОDT) и новая технология калибровки сигналов.

Технология динамического терминирования сигналов позволяет гибко оптимизировать значения терминальных сопротивлений в зависимости от условий загрузки памяти.

Как известно, оперативная память применяется для нужд не только центрального процессора, но и графического процессора. В современных графических видеокартах используется так называемая графическая память, микросхемы которой распаиваются на плате графической карты. Аналогично тому, что существуют различные типы оперативной памяти (SDR, DDR, DDR2 и DDR3), графическая память так же бывает разной. Чтобы отличать оперативную память от графической, последнюю снабжают обозначением >. Так, бывает память 2, GDDRЗ и GDDR4. Несмотря на схожие названия (GDDR2 и DDR2, GDDR3 и DDRЗ), графическая ‚ памятьсущественно отличается от оперативной.

Отметим, что впервые графическая память GDDR2 (GraphicsDoubleDataRate 2) была использована компанией NVIDIA в видеокарте на базе процессора GeForseFХ 5800. В то же время по принципу действия графическая память GDDR2 не имеет ничего общего с памятью DDR2 и в этом смысле более схожа с памятью DDR. В частности, в памяти GDDR2 не используется технология 4n-Ргеfeth, когда буфер ввода-вывода данных работает на удвоенной частоте. От обычной DDR-памяти GDDR2 отличается более высокими тактовыми частотами, требованиями к напряжению и способами терминирования сигналов.

Память GDDRЗ (GraphicsDoubleDataRate З) была разработана компанией АТI, однако впервые использовалась на видеокартах с графическим процессором NVIDIAGeForseFX 5700 Ultra.

Эта память также не имеет никакого отношения к DDRЗ и по принципу действия более схожа с памятью DDR2, отличаясь от нее тактовыми частотами, требованиями к напряжению и способами терминирования сигналов. В памяти GDDR3, как и в DDR2, используется технология 4n-Ргеfeth.

Память GDDR4 (GraphicsDoubleDataRate, version 4) сегодня широко применяется в видеокартах с процессорами АТI Radeon Х195ОХТХ и Раdeon НD 2600 ХТ. Эта память является своеобразным аналогом DDRЗ в том смысле, что в ней реализован механизм 8n-Prefeth.

Распространение любого сигнала вдоль шины неизбежно приводит к его частичному отражению от любых неоднородностей вдоль пути распространения. Для того чтобы такого отражения сигнала не происходило, необходимо, чтобы, во-первых, на пути распространения сигнала не было неоднородностей, во-вторых, чтобы сам путь был бесконечным. Понятно, что на практике такие условия нереализуемы, и отражение сигнала всегда присутствует. Отраженный сигнал интерферирует с основным сигналом, что приводит к искажению последнего. Поэтому одной из основных задач является уменьшение отраженного сигнала.

Одно из решений, используемых для предотвращения отражения сигнала, заключается во введении шунтирующих сопротивлений, образующих заглушку или терминатор. Шунтирующее сопротивление устанавливается на конце шины, по которой распространяется сигнал, и заземляется. Такая заглушка полностью поглощает сигнал и предотвращает его отражение. В случае DDR-памяти терминальные сопротивления устанавливаются на самой материнской плате. Такой подход позволяет устранить отражения, которые могли бы возникнуть на конце самой шины, однако не решает проблемы возникновения отражений от неоднородностей, связанных с наличием нескольких слотов для установки модулей памяти.

В случае памяти DDR2 используется принципиально иной метод терминирования сигналов, получивший название ОDT (Оn-Die-Termination). В данном случае терминальные сопротивления устанавливаются непосредственно на самих модулях памяти, а для того, чтобы предотвратить поглощение сигнала в активном модуле памяти, используется технология отключения терминальных сопротивлений от активных модулей.

Хранение команды САS в буфере эквивалентно введению дополнительной задержки (АdditiveLatensy, АL), поэтому данный способ известен также как АdditiveLatensy,AL или способ отложенного чтения (Рrоsted САS).

В DDR-памяти при операциях записи контроллер может осуществлять запись в любую ячейку в пределах открытой строки, причем задержка записи (WriteLatensy,WL) данных относительно сигнала САS (выбора столбца) составляет один такт. В памяти DDR2 задержка записи определяется несколько иначе, она на один такт меньше задержки на чтение (ReadLatensy,RL): WL = RL-1T. Если, к примеру, RL = 7, то ‚WL. = 6.

Установка дополнительной памяти на системной плате – несложный способ увеличить объем памяти компьютера. Большинство систем имеет хотя бы один незанятый банк памяти, в который можно установить дополнительную память, и таким образом повысить производительность компьютера.

Оперативная память является одним из важнейших компонентов компьютера. Ведь именно от нее во многом зависит быстродействие компьютера, а также программное обеспечение, которое мы сможем использовать на нем.
В настоящее время разработано много видов оперативной памяти: высокоскоростной и более медленной, дорогой и подешевле. Какую память следует устанавливать на компьютер, должен решать сам пользователь, в зависимости от того, какие аспекты ему важны. Но следует помнить, что быстроразвивающаяся компьютерная отрасль, в том числе программное обеспечение, предъявляют все большие требования к компьютерам, в том числе и к оперативной памяти.

Содержание

Введение________________________________________________3
1. Оперативная память. Её свойства и функции___________________4
2. Система памяти персонального компьютера___________________6
3. КЭШ-память______________________________________________7
4. Оперативное запоминающее устройство______________________10
5. Физические виды ОЗУ_____________________________________11
5.1. Статическая память__________________________________11
5.2. Динамическая память________________________________12
6. Перспективы развития оперативной памяти
6.1. MRAM_____________________________________________13
6.2. Память на основе графеновой наноленты________________16
6.3. Оперативная память на нанотрубках____________________17
Заключение______________________________________________19
Список использованной литературы_________________________20

Прикрепленные файлы: 1 файл

Корней реферат.docx

Оперативная память. Её свойства и функции___________________4
Система памяти персонального компьютера___________________6
КЭШ-память____________________ __________________________7
Оперативное запоминающее устройство____________________ __10
Физические виды ОЗУ___________________________ __________11
1. Статическая память________________________ __________11
2. Динамическая память________________________ ________12
1. MRAM__________________________ ___________________13
2. Память на основе графеновой наноленты________________16
3. Оперативная память на нанотрубках___________________ _17
Список использованной литературы____________________ _____20

Часто для оперативной памяти используют обозначение RAM (Random Access Memory, то есть память с произвольным доступом). Это означает, что обращение к данным, хранящимся в оперативной памяти, не зависит от порядка их расположения в памяти. Когда говорят о памяти компьютера, обычно подразумевают оперативную память, прежде всего микросхемы памяти или модули, в которых хранятся активные программы и данные, используемые процессором.

Операти́вная па́мять (англ. Random Access Memory, память с произвольным доступом; комп. жарг. Память) — энергозависимая часть системы компьютерной памяти, в которой, исходя из названия, временно хранятся данные и команды, необходимые процессору для выполнения им операции. Обязательным условием является адресуемость (каждое машинное слово имеет индивидуальный адрес) памяти. 1

Обмен данными между процессором и оперативной памятью производится:
- непосредственно,
- либо через сверхбыструю память, 0-го уровня — регистры в АЛУ, либо при наличии кэша — через него.
Содержащиеся в оперативной памяти данные доступны только тогда, когда на модули памяти подаётся напряжение, то есть, компьютер включен. Пропадание на модулях памяти питания, даже кратковременное, приводит к искажении либо полному пропаданию содержимого ОЗУ.

В общем случае, оперативная память содержит данные операционной системы и запущенных на выполнение программ, поэтому от объёма оперативной памяти зависит количество задач, которые одновременно может выполнять компьютер.

Оперативное запоминающее устройство, ОЗУ — техническое устройство, реализующее функции оперативной памяти.

ОЗУ может изготавливаться как отдельный блок или входить в конструкцию, например однокристальной ЭВМ или микроконтроллера.

Хранение данных в персональных компьютерах осуществляется в различных устройствах и их компонентах в зависимости от целей использования информации. Они включают в себя:
- регистры центрального микропроцессора (используются в процессе выполнения инструкций исполнительными блоками микропроцессора);
- кэш-память 1-го уровня (L1, компонент центрального микропроцессора, в который параллельно с выполнением текущей инструкции считываются следующие инструкции и данные для их исполнения);
- кэш-память 2-го уровня (L2, память, выполняющая роль буфера между центральным микропроцессором и оперативным запоминающим устройством; реализуется в одном конструктиве с микропроцессором);
- оперативное запоминающее устройство (ОЗУ, основная память, в которой размещаются исполняемые программы и необходимые для них данные);
- постоянное запоминающее устройство (ПЗУ, хранящее базовую систему ввода-вывода и стартовые программы, запускаемые при включении компьютера);
- энергонезависимое ОЗУ (устройство памяти, хранящее значение системного времени и данные о конфигурации компьютера);
- видеопамять (устройство памяти видеоподсистемы персонального компьютера);
- накопители информации (массовая долговременная память персонального компьютера, реализованная в виде устройств хранения данных на гибких и жестких магнитных дисках, магнитной ленте, оптических дисках, флэш-памяти и т.п.).
- Оперативное запоминающее устройство