Что такое монокристалл кратко

Обновлено: 02.07.2024

МОНОКРИСТАЛЛ, отдельный однородный кристалл, имеющий непрерывную кристаллич. решётку и характеризующийся анизотропией свойств (см. Кристаллы). Внешняя форма М. обусловлена его атомнокристаллич. структурой и условиями кристаллизации. Часто М. приобретает хорошо выраженную естеств. огранку, в неравновесных условиях кристаллизации огранка проявляется слабо. Примерами огранённых природных М. могут служить М. кварца, каменной соли, исландского шпата, алмаза, топаза. От М. отличают поликристаллы. и поликристаллич. агрегаты, состоящие из множества различно ориентированных мелких М.

М. ценны как материал, обладающий особыми физ. свойствами. Напр., алмаз и боразон предельно тверды, флюорит прозрачен для широкого диапазона длин волн, кварц - пьезоэлектрик (см. Пьезоэлектричество). М. способны менять свои свойства под влиянием внеш. воздействий (света, механич. напряжений, электрич. и магнитного полей, радиации, темп-ры, давления). Поэтому изделия и элементы, изготовленные из М., применяются в качестве различных преобразователей в радиоэлектронике, квантовой электронике, акустике, вычислит, технике и др. Первоначально в технике использовались природные М., однако их запасы ограничены, а качество не всегда достаточно высоко. В то же время многие ценные свойства были найдены только у синтетич. кристаллов. Поэтому появилась необходимость искусственного выращивания М. Исходное вещество для выращивания М. может быть в твёрдом (в частности, в порошкообразном), жидком (расплавы и растворы) и газообразном состояниях.

Известны след, методы выращивания М. из расплава: а) Стокбаргера; б) Чох-ральского; в) Вернейля; г) зонной плавки. В методе Стокбаргера тигель с расплавом. 1 перемещают вдоль печи 3 в вертикальном направлении со скоростью 1-20 мм/ч (рис. 1). Темп-pa в плоскости диафрагмы 6 поддерживается равной темп-ре кристаллизации вещества. Т. к. тигель имеет конич. дно, то при его медленном спускании расплав в конусе оказывается при темп-ре ниже темп-ры кристаллизации, и в нём происходит образование (зарождение) мельчайших кристалликов, из к-рых в дальнейшем благодаря геометрич. отбору выживает лишь один. Отбор связан гл. обр. с анизотропией скоростей роста граней М. Этот метод широко используется в пром. произ-ве крупных М. флюорита, фтористого лития, сернистого кадмия и др.

Рис. 1. Схема аппарата для выращивания монокристаллов по методу Стокбаргера: 1 - тигель с расплавом; 2 - кристалл; 3 - печь; 4 - холодильник; 5 - термопара; 6 - диафрагма.

В методе Чохральского М. медленно вытягивается из расплава (рис. 2). Скорость вытягивания 1-20 мм/ч. Метод позволяет получать М. заданной кристал-лографич. ориентации. Метод Чохральского применяется при выращивании М. иттриево-алюминиевого граната, ниобата лития и полупроводниковых М. А.В. Степанов создал на основе этого метода способ для выращивания М. с сечением заданной формы, к-рый используется для произ-ва полупроводниковых М.

Метод Вернейля бестигельный. Вещество в виде порошка (размер частиц 2-100 мкм) из бункера / (рис. 3) через кислородно-водородное пламя подаётся на верхний оплавленный торец затравочного монокристалла 2, медленно опускающегося с помощью механизма 5. Метод Вер-нейля - основной пром. метод произ-ва тугоплавких М.: рубина, шпинелей, рутила и др.

Рис. 2. Схема аппарата для выращивания монокристаллов по методу Чохральского: 1 - тигель с расплавом; 2 -кристалл; 3-печь;

5 - механизм вытягивания.

В методе зонной плавки создаётся весьма ограниченная по ширине область расплава. Затем благодаря последовательному проплавлению всего слитка получают М. Метод зонного проплавле-ния получил широкое распространение в произ-ве полупроводниковых М. (В. Дж. Пфанн, 1927), а также тугоплавких металлич. М. молибден, вольфрам и др.

Рис. 3. Схема аппарата для выращивания монокристаллов по методу Вернейля: 1 - бункер; 2 - кристалл; 3 - печь; 4 - свеча; 5 - механизм опускания; 6 - механизм встряхивания.

Методы выращивания из раствора включают 3 способа: низкотемпературный (растворители: вода, спирты, кислоты и др.), высокотемпературный (растворители: расплавленные соли и др.) И гидротермальный. Низкотемпературный кристаллизатор представляет собой сосуд с раствором 1, в к-ром создаётся пересыщение, необходимое для роста кристаллов 2 путём медленного снижения темп-ры, реже испарением растворителя (рис. 4). Этот метод используется для получения крупных М. сегнетовой соли, дигидрофосфата калия (KDP), нафталина и др.

Рис. 4. Схема низкотемпературного кристаллизатора: 1 - раствор; 2 - кристалл; 3 - печь; 4 - термостат; 5 - мешалка; 6 - контактный термометр; 7 - терморегулятор.

Высокотемпературный кристаллизатор (рис. 5) содержит тигель с растворителем и кристаллизуемым соединением, помещённый в печь. Кристаллизуемое соединение выпадает из растворителя при медленном снижении темп-ры (р а с-твор-расплавная кристал-л и з а ц и я). Метод применяется для получения М. железоиттриевых гранатов, слюды, а также различных полупроводниковых плёнок.

Рис. 5. Схема высокотемпературного кристаллизатора: 1 - раствор; 2-кристалл; 3 -печь; 4 - тигель.

Гидротермальный синтез М. основан на зависимости раство-рим ости вещества в водных растворах кислот и щелочей от 2 давления и температуры. Необходимые для образования М. концентрация вещества в растворе и пересыщение создаются за счёт высокого давления (до 300 Мн/м 2 или 3000 кгс/сл 2 ) и перепадов темп-ры между верхней (Т1~250°С) нижней (Т2~500 °С) частями автоклав (рис. 6). Перенос вещества осуществляете конвективным перемешиванием. Гидротермальный синтез является осн. процессом произ-ва М. кварца.

Рис. 6. Схема автоклава для гидротермального синтеза: 1 - раствор; 2 -кристалл; 3 - печь; 4 -вещество для кристаллизации.

Методы выращивания М. из газообразного вещества: испарение исходного вещества в вакууме с последующие осаждением пара на кристалл, причём осаждение поддерживается определённы! перепадом темп-ры Т (рис. 7,а); испарение в газе (обычно инертном), перенос кристаллизуемого вещества осуществляет ся направленным потоком газа (рис. 7, б)осаждение продуктов хим. реакций, прс исходящих на поверхности затравочног М. (рис. 7,в). Метод кристаллизации и газовой фазы широко используется для получения монокристальных плёнок и микрокристаллов для интегральных схем и др. целей.

Рис. 7. Схема установки для кристаллизации из газовой фазы; пунктиром показано распределение температуры вдоль печи.

Выбор метода выращивания М. определяется требованием к качеству М. (количество и характер присущих М. дефектов). Различают макроскопич. дефек ты (инородные включения, блоки, напряжения) и микроскопические (дислокации примеси, вакансии; см. Дефекты в кри сталлах).

Существуют спец. методы уменьшения числа дефектов в М. (отжиг, выращивание М. на бездефектных затравочных кристаллах и др.).

При выращивании М. используются различные способы нагревания: омический, высокочастотный, газопламенный реже плазменный, электроннолучевой, радиационный (в т. ч. лазерный) и электродуговой.

Лит.: Б а к л и Г., Рост кристаллов, пер с англ., М., 1954; Л о д и з Р. А., Паркер Р. Л., Рост монокристаллов, пер с англ., М., 1973; М а л л и н Дж., Кристал лизация, пер. с англ., М., 1966; Шубни ков А. В., Образование кристаллов, М.-Л., 1947; его же, Как растут кристаллы, М.- Л., 1935; Пфанн [В. Дж.], Принципы зонной плавки, в кн.: Германий, сб. переводов, М., 1955 (Редкие металлы), с. 92. См. также лит. при ст. Кристаллизация.

отдельный однородный кристалл, имеющий непрерывную кристаллическую решётку и характеризующийся анизотропией (См. Анизотропия) свойств (см. Кристаллы). Внешняя форма М. обусловлена его атомнокристаллической структурой и условиями кристаллизации (См. Кристаллизация). Часто М. приобретает хорошо выраженную естественную огранку, в неравновесных условиях кристаллизации огранка проявляется слабо. Примерами огранённых природных М. могут служить М. Кварца, каменной соли (См. Каменная соль), исландского шпата (См. Исландский шпат), Алмаза, Топаза. От М. отличают Поликристаллы и поликристаллические агрегаты, состоящие из множества различно ориентированных мелких М.

М. ценны как материал, обладающий особыми физическими свойствами. Например, алмаз и боразон предельно тверды, Флюорит прозрачен для широкого диапазона длин волн, Кварц — пьезоэлектрик (см. Пьезоэлектричество). М. способны менять свои свойства под влиянием внешних воздействий (света, механических напряжений, электрических и магнитного полей, радиации, температуры, давления). Поэтому изделия и элементы, изготовленные из М., применяются в качестве различных преобразователей в радиоэлектронике, квантовой электронике (См. Квантовая электроника), акустике, вычислительной технике и др. Первоначально в технике использовались природные М., однако их запасы ограничены, а качество не всегда достаточно высоко. В то же время многие ценные свойства были найдены только у синтетических кристаллов. Поэтому появилась необходимость искусственного выращивания М. Исходное вещество для выращивания М. может быть в твёрдом (в частности, в порошкообразном), жидком (расплавы и растворы) и газообразном состояниях.

Известны следующие методы выращивания М. из расплава: а) Стокбаргера; б) Чохральского; в) Вернейля; г) зонной плавки (См. Зонная плавка). В методе Стокбаргера тигель с расплавом 1 перемещают вдоль печи 3 в вертикальном направлении со скоростью 1—20 мм/ч (рис. 1). температура в плоскости диафрагмы 6 поддерживается равной температуре кристаллизации вещества. Т. к. тигель имеет коническое дно, то при его медленном опускании расплав в конусе оказывается при температуре ниже температуры кристаллизации, и в нём происходит образование (зарождение) мельчайших кристалликов, из которых в дальнейшем благодаря геометрическому отбору выживает лишь один. Отбор связан главным образом с анизотропией скоростей роста граней М. Этот метод широко используется в промышленном производстве крупных М. флюорита, фтористого лития, сернистого кадмия и др.

В методе Чохральского М. медленно вытягивается из расплава (рис. 2). Скорость вытягивания 1—20 мм/ч. Метод позволяет получать М. заданной кристаллографической ориентации. Метод Чохральского применяется при выращивании М. иттриево-алюминиевого граната, ниобата лития и полупроводниковых М. А. В. Степанов создал на основе этого метода способ для выращивания М. с сечением заданной формы, который используется для производства полупроводниковых М.

Метод Вернейля бестигельный. Вещество в виде порошка (размер частиц 2—100 мкм) из бункера 1 (рис. 3) через кислородно-водородное пламя подаётся на верхний оплавленный торец затравочного монокристалла 2, медленно опускающегося с помощью механизма 5. Метод Вернейля — основной промышленный метод производства тугоплавких М.: Рубина, шпинелей (См. Шпинели), Рутила и др.

В методе зонной плавки создаётся весьма ограниченная по ширине область расплава. Затем благодаря последовательному проплавлению всего слитка получают М. Метод зонного проплавления получил широкое распространение в производстве полупроводниковых М. (В. Дж. Пфанн, 1927), а также тугоплавких металлический М. Молибден, Вольфрам и др.

Методы выращивания из раствора включают 3 способа: низкотемпературный (растворители: вода, спирты, кислоты и др.), высокотемпературный (растворители: расплавленные соли и др.) и гидротермальный. Низкотемпературный кристаллизатор представляет собой сосуд с раствором 1, в котором создаётся пересыщение, необходимое для роста кристаллов 2 путём медленного снижения температуры, реже испарением растворителя (рис. 4). Этот метод используется для получения крупных М. сегнетовой соли, дигидрофосфата калия (KDP), нафталина и др.

Высокотемпературный кристаллизатор (рис. 5) содержит тигель с растворителем и кристаллизуемым соединением, помещенный в печь. Кристаллизуемое соединение выпадает из растворителя при медленном снижении температуры (раствор-расплавная кристаллизация). Метод применяется для получения М. железоиттриевых гранатов, слюды, а также различных полупроводниковых плёнок.

Гидротермальный синтез М. основан на зависимости растворимости вещества в водных растворах кислот и щелочей от давления и температуры. Необходимые для образования М. концентрация вещества в растворе и пересыщение создаются за счёт высокого давления (до 300 Мн/м 2 или 3000 кгс/см 2 ) и перепадом температуры между верхней (T1 Монокристалл 250°C) и нижней (Т2 Монокристалл 500 °С) частями автоклава (рис. 6). Перенос вещества осуществляется конвективным перемешиванием. Гидротермальный синтез является основным процессом производства М. кварца.

Методы выращивания М. из газообразного вещества: испарение исходного вещества в вакууме с последующим осаждением пара на кристалл, причём осаждение поддерживается определённым перепадом температуры Т (рис. 7, а); испарение в газе (обычно инертном), перенос кристаллизуемого вещества осуществляется направленным потоком газа (рис. 7, б); осаждение продуктов химических реакций, происходящих на поверхности затравочного М. (рис. 7, в). Метод кристаллизации из газовой фазы широко используется для получения монокристальных плёнок и микрокристаллов для интегральных схем (См. Интегральная схема) и др. целей.

Выбор метода выращивания М. определяется требованием к качеству М. (количество и характер присущих М. дефектов). Различают макроскопические дефекты (инородные включения, блоки, напряжения) и микроскопические (Дислокации, примеси, вакансии (См. Вакансия); см. Дефекты в кристаллах).

Существуют специальные методы уменьшения числа дефектов в М. (отжиг, выращивание М. на бездефектных затравочных кристаллах и др.).

При выращивании М. используются различные способы нагревания: омический, высокочастотный, газопламенный, реже плазменный, электроннолучевой, радиационный (в т. ч. лазерный) и электродуговой.

Лит.: Бакли Г., Рост кристаллов, пер. с англ., М., 1954; Лодиз Р. А., Паркер Р. Л., Рост монокристаллов, пер. с англ., М., 1973; Маллин Дж., Кристаллизация, пер. с англ., М., 1966; Шубников А. В., Образование кристаллов, М. — Л., 1947; его же, Как растут кристаллы, М. — Л., 1935; Пфанн [В. Дж.], Принципы зонной плавки, в кн.: Германий, сб. переводов, М., 1955 (Редкие металлы), с. 92. См. также лит. при ст. Кристаллизация.

Рис. 1. Схема аппарата для выращивания монокристаллов по методу Стокбаргера: 1 — тигель с расплавом; 2 — кристалл; 3 — печь; 4 — холодильник; 5 — термопара; 6 — диафрагма.

Рис. 2. Схема аппарата для выращивания монокристаллов по методу Чохральского: 1 — тигель с расплавом; 2 — кристалл; 3 — печь; 4 — холодильник; 5 — механизм вытягивания.

Рис. 3. Схема аппарата для выращивания монокристаллов по методу Вернейля: 1 — бункер; 2 — кристалл; 3 — печь; 4 — свеча; 5 — механизм опускания; 6 — механизм встряхивания.

Рис. 4. Схема низкотемпературного кристаллизатора: 1 — раствор; 2 — кристалл; 3 — печь; 4 — термостат; 5 — мешалка; 6 — контактный термометр; 7 — терморегулятор.

Рис. 6. Схема автоклава для гидротермального синтеза: 1 — раствор; 2 — кристалл; 3 — печь; 4 — вещество для кристаллизации.

Рис. 7. Схема установки для кристаллизации из газовой фазы; пунктиром показано распределение температуры вдоль печи.

Большая советская энциклопедия. — М.: Советская энциклопедия . 1969—1978 .

Полезное

Смотреть что такое "Монокристалл" в других словарях:

монокристалл — монокристалл … Орфографический словарь-справочник

Монокристалл — Монокристалл отдельный однородный кристалл, имеющий непрерывную кристаллическую решётку и иногда имеющий анизотропию физических свойств. Внешняя форма монокристалла обусловлена его атомно кристаллической решёткой и условиями (в основном… … Википедия

МОНОКРИСТАЛЛ — кристаллич. индивид, имеющий во всём объёме единую кристаллич. решётку (см. КРИСТАЛЛЫ). Внеш. форма М. определяется их ат. структурой и условиями кристаллизации: в равновесных условиях М. приобретают хорошо выраженную естеств. огранку. Примеры… … Физическая энциклопедия

монокристалл — однокристалл, кристалл, фианит Словарь русских синонимов. монокристалл сущ., кол во синонимов: 3 • кристалл (17) • … Словарь синонимов

МОНОКРИСТАЛЛ — (от моно. и кристалл), отдельный кристалл, имеющий во всем объеме непрерывную кристаллическую решетку. Многие монокристаллы обладают важными физическими свойствами: алмаз очень тверд; сапфир, кварц, флюорит исключительно прозрачны. Многие… … Современная энциклопедия

МОНОКРИСТАЛЛ — (от моно. и кристалл) отдельный кристалл с непрерывной кристаллической решеткой. От монокристалла отличают поликристаллы … Большой Энциклопедический словарь

МОНОКРИСТАЛЛ — одиночный, отдельный к л с практически ненарушенной структурой. Геологический словарь: в 2 х томах. М.: Недра. Под редакцией К. Н. Паффенгольца и др.. 1978 … Геологическая энциклопедия

Монокристалл — – кристалл, имеющий во всем объеме единую кристаллическую решетку. [Блюм Э. Э. Словарь основных металловедческих терминов. Екатеринбург, 2002 г.] Рубрика термина: Общие термины Рубрики энциклопедии: Абразивное оборудование, Абразивы,… … Энциклопедия терминов, определений и пояснений строительных материалов

Монокристалл — (от моно. и кристалл), отдельный кристалл, имеющий во всем объеме непрерывную кристаллическую решетку. Многие монокристаллы обладают важными физическими свойствами: алмаз очень тверд; сапфир, кварц, флюорит исключительно прозрачны. Многие… … Иллюстрированный энциклопедический словарь

монокристалл — (от моно. и кристалл), отдельный кристалл с непрерывной кристаллической решёткой. От монокристаллов отличают поликристаллы. * * * МОНОКРИСТАЛЛ МОНОКРИСТАЛЛ (от моно. (см. МОНО. (часть сложных слов)) и кристалл (см. КРИСТАЛЛЫ)), отдельный… … Энциклопедический словарь

МОНОКРИСТА́ЛЛ [от мо­но . и греч. ϰρύσταλλος – лёд (так на­зы­ва­ли кри­стал­лы гор­но­го хру­ста­ля)], дос­та­точ­но хо­ро­шо ог­ра­нён­ный кри­сталл с од­но­род­ным и ре­гу­ляр­ным в трёх из­ме­ре­ни­ях и на боль­ших рас­стоя­ни­ях (даль­ний по­ря­док) внутр. строе­ни­ем. Внеш­няя фор­ма М. обу­слов­ле­на его атом­но-кри­стал­лич. струк­ту­рой и ус­ло­вия­ми кри­стал­ли­за­ции. Вы­рос­шие в рав­но­вес­ных ус­ло­ви­ях М. при­об­ре­та­ют хо­ро­шо вы­ра­жен­ную ес­теств. ог­ран­ку в фор­ме пра­виль­ных мно­го­гран­ни­ков оп­ре­де­лён­ной сим­мет­рии; в М., вы­рос­ших в не­рав­но­вес­ных ус­ло­ви­ях кри­стал­ли­за­ции, ог­ран­ка про­яв­ля­ет­ся сла­бо. При­ме­ра­ми ог­ра­нён­ных при­род­ных М. мо­гут слу­жить ог­ром­ные (мас­сой до со­тен ки­ло­грам­мов) М. квар­ца (гор­но­го хру­ста­ля), ка­мен­ной со­ли, ис­ланд­ско­го шпа­та, а так­же от­но­си­тель­но мел­кие М. ал­ма­за, бе­рил­ла, то­па­за.

В повседневной жизни мы считаем твёрдым любое тело, сохраняющее форму и объём в отсутствие внешних воздействий, например, тела, изготовленные из металлов, пластмассы, льда, стекла. Твёрдые тела делят на две группы, различающиеся по своим свойствам: кристаллические и аморфные. Чем же отличаются кристаллические твёрдые тела от аморфных?

Кристаллы. К кристаллическим телам относят минералы, например поваренную соль, медный купорос, кварц, квасцы (рис. 40), горный хрусталь и металлы в твёрдом состоянии.

Кристаллы — твёрдые тела, атомы, ионы или молекулы которых совершают тепловые колебания около определённых, упорядоченных в пространстве положений равновесия.

Упорядоченное размещение частиц твёрдого кристаллического тела обусловливает его правильную геометрическую форму, вследствие чего поверхность кристалла образована плоскими гранями (рис. 41).

Частицы кристалла удерживаются на определённом усреднённом расстоянии друг от друга (∼ 0,1 нм) силами межатомного и межмолекулярного взаимодействий. Несмотря на тепловые колебания, они образуют упорядоченную пространственную структуру. Геометрическим образом этой структуры является кристаллическая решётка. Узлы кристаллической решётки — положения устойчивого равновесия колеблющихся частиц (ионов, атомов или молекул), образующих кристалл.

Основой строения кристалла служит так называемая элементарная кристаллическая ячейка — многогранник наименьших размеров, последовательным переносом без изменения ориентации которого вместе с частицами, находящимися внутри этого многогранника, можно построить весь кристалл.

На рисунках 42 представлены самые простые элементарные ячейки: кубические (а — примитивная, б — объёмно-центрированная, в — гранецентрированная) и гексагональная призма (г).

В кристаллических телах упорядоченное размещение частиц повторяется во всём объёме кристалла, поэтому говорят, что в кристалле существует дальний порядок в расположении частиц.

Интересно знать

Чтобы понять, почему в кристаллических телах упорядоченное размещение частиц, проделаем опыт. Насыплем на вогнутое стекло одинаковые маленькие шарики (рис. 43, а) и слегка встряхнём их несколько раз. Можно увидеть, что шарики разместятся в строгом порядке (рис. 43, б). Шарики располагаются на стекле в самом низком из возможных положений, что соответствует минимуму их потенциальной энергии в гравитационном поле Земли.

Кристаллическая структура также связана с минимумом потенциальной энергии, т. е. при образовании кристаллов частицы самопроизвольно располагаются так, чтобы потенциальная энергия их взаимодействия была минимальной.


  • Монокристалл — отдельный однородный кристалл, имеющий непрерывную кристаллическую решётку и иногда имеющий анизотропию физических свойств. Внешняя форма монокристалла обусловлена его атомно-кристаллической решёткой и условиями (в основном скоростью и однородностью) кристаллизации. Медленно выращенный монокристалл почти всегда приобретает хорошо выраженную естественную огранку, в неравновесных условиях (средняя скорость роста) кристаллизации огранка проявляется слабо. При ещё большей скорости кристаллизации вместо монокристалла образуются однородные поликристаллы и поликристаллические агрегаты, состоящие из множества различно ориентированных мелких монокристаллов. Примерами огранённых природных монокристаллов могут служить монокристаллы кварца, каменной соли, исландского шпата, алмаза, топаза. Большое промышленное значение имеют монокристаллы полупроводниковых и диэлектрических материалов, выращиваемые в специальных условиях. В частности, монокристаллы кремния и искусственных сплавов элементов III (третьей) группы с элементами V (пятой) группы таблицы Менделеева (например GaAs Арсенид галлия) являются основой современной твердотельной электроники.

Монокристаллы металлов и их сплавов могут обладать повышенными прочностными свойствами и применяются в авиадвигателестроении. Монокристаллы сверхчистых веществ обладают одинаковыми свойствами независимо от способа их получения.

Кристаллизация происходит вблизи температуры плавления(конденсации) из газообразного (например иней и снежинки), жидкого (наиболее часто) и твёрдого аморфного состояний с выделением тепла.

Кристаллизация из газа или жидкости обладает мощным очищающим механизмом: химический состав медленно выращенных монокристаллов практически идеален. Почти все загрязнения остаются (накапливаются) в жидкости или газе. Это происходит потому, что при росте кристаллической решётки происходит самопроизвольный подбор нужных атомов (молекул для молекулярных кристаллов) не только по их химическим свойствам (валентности), а также по размеру.

монокриста́лл

Делаем Карту слов лучше вместе

Привет! Меня зовут Лампобот, я компьютерная программа, которая помогает делать Карту слов. Я отлично умею считать, но пока плохо понимаю, как устроен ваш мир. Помоги мне разобраться!

Спасибо! Я обязательно научусь отличать широко распространённые слова от узкоспециальных.

Насколько понятно значение слова маслобойный (прилагательное):

Читайте также: