Неорганические полупроводники в биохимических системах реферат
Обновлено: 02.07.2024
Перечислим важнейшие применения полупроводников:
1) полупроводниковые диоды и триоды с большим успехом заменяют электронные лампы, так как они более экономичны, компактны, отличаются простотой устройства, надежностью, механической прочностью и большим сроком работы. Применяемые в электро- и радиотехнике селеновые выпрямители имеют к. п. д. до 70%, германиевые — до 98%. Имеются выпрямители, работающие при высоких температурах. Полупроводниковые триоды имеют к. п. д. до 50% (тогда как у вакуумных электронных ламп — около 1%). Полупроводниковые приборы употребляют мало энергии и требуют для питания низкое (по сравнению с электронными лампами) напряжение, поэтому необходимые для них источники питания могут иметь очень малые габариты. Это позволило решить ряд важных задач радиотехники (создание миниатюрных радиоприемников и передатчиков и др.);
2) фотосопротивления — полупроводники (селен, сернистые кадмий и свинец и др.), у которых электрическое сопротивление резко уменьшается при облучении их светом, ультрафиолетовыми, рентгеновскими и другими лучами; они используются для измерения световых потоков, освещенности, воспроизводства звука, записанного на кинопленку в различных устройствах контроля, сигнализации, автоматического регулирования и т. д. Имеются фотосопротивления, чувствительные к инфракрасному излучению;
3) термисторы — полупроводники (смеси окислов различных металлов: магния, никеля, титана и др.), у которых электрическое сопротивление сильно зависит от температуры; они применяются для измерения температур (в таких условиях, при которых другие способы не применимы: химически активная среда, наличие вибраций, необходимость очень малых размеров датчика и др.), для автоматического регулирования температуры, в качестве ограничителей начального значения силы тока в пусковых устройствах и т. д.;
4) варисторы — полупроводники (карбид кремния и др.), у которых электрическое сопротивление сильно зависит от напряженности приложенного электрического поля; применяются для защиты электрических цепей от нерегулярных высоких перенапряжений, например от грозовых разрядов.
В электрических печах вместо дорогих и недолговечных металлических спиралей используются стержни из тугоплавких полупроводников, допускающих нагрев до 1300° С. Термоэлементы, составленные из двух полупроводников с и -проводимостями, имеют
более высокое значение коэффициента термоэлектродвижущей силы. Они могут быть использованы как преобразователи теплоты непосредственно в электрическую энергию (с к. п. д., доходящим до 10%), а также при использовании эффекта Пельтье, для целей охлаждения (полупроводниковые термоэлектрогенераторы и холодильники).
ВВЕДЕНИЕ 3
ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ 5
ОПРЕДЕЛЕНИЕ 5
СТРОЕНИЕ 9
СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ 11
МЕТОДЫ ОЧИСТКИ И ПЕРЕПЛАВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
МАТЕРИАЛОВ 12
МЕТАЛЛУРГИЯ ГЕРМАНИЯ И КРЕМНИЯ 13
ПРИМЕНЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 15
ФОТОСОПРОТИВЛЕНИЯ 18
ТЕРМОЭЛЕМЕНТЫ 20
ЖИДКИЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ 21
ХОЛОДИЛЬНИКИ И НАГРЕВАТЕЛИ 22
СПИСОК ПОЛУПРОВОДНИКОВ 23
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 24
ЛИТЕРАТУРА 25
Полупроводники как особый класс веществ, были известны еще с конца XIX века, только развитие теории твердого тела позволила понять их особенность. Полупроводниками называют вещества, обладающие электронной проводимостью, занимающей промежуточное положение между металлами и изоляторами. От металлов они отличаются тем, что носители электрического тока в них создаются тепловым движением, светом, потоком электронов и т.п. источником энергии. Без теплового движения (вблизи абсолютного нуля) полупроводники являются изоляторами. С повышением температуры электропроводность полупроводников возрастает и при расплавлении носит металлический характер.
Задолго до этого были обнаружены:
• эффект выпрямления тока на контакте металл-полупроводник.
• фотопроводимость.
Были построены первые приборы на их основе.
О. В. Лосев (1923) доказал возможность использования контактов полупроводник-металл для усиления и генерации колебаний (кристаллический детектор). Однако в последующие годы кристаллические детекторы были вытеснены электронными лампами и лишь в начале 50 - х годов с открытием транзисторов (США 1949 год) началось широкое применение полупроводников (главным образом германия и кремния в радиоэлектронике). Одновременно началось интенсивное изучение свойств полупроводников, чему способствовало совершенствование методов очистки кристаллов и их легированию (введение в полупроводник определенных примесей).
В СССР изучение полупроводников начались в конце 20 - х годов под руководством академика А.Ф. Иоффе в Физико-техническом институте АН СССР.
Интерес к оптическим свойствам полупроводников возрос в связи с открытием вынужденного излучения в полупроводниках, что привело к созданию полупроводниковых лазеров вначале на p - n - переходе, а затем на гетеропереходах.
В последнее время большее распространение получили приборы, основанные на действии полупроводников. Эти вещества стали изучать сравнительно недавно, однако без них уже не может обойтись ни современная электроника, ни медицина, ни многие другие науки.
Цель работы: получить четкое представление о том, что такое полупроводники и их применение. Узнать, как проходит проводимость полупроводников, их свойства и особенности.
ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ ОПРЕДЕЛЕНИЕ
Полупроводники - широкий класс веществ, характеризующийся значениями удельной электропроводности (, лежащей в диапазоне между удельной электропроводностью металлов и хороших диэлектриков, то есть эти вещества не могут быть отнесены как к диэлектрикам (так как не являются хорошими изоляторами), так и к металлам (не являются хорошими проводниками электрического тока). К полупроводникам, например, относят такие вещества как германий, кремний, селен, теллур, а также некоторые оксиды, сульфиды и сплавы металлов.
Полупроводники долгое время не привлекали особого внимания ученых и инженеров. Одним из первых начал систематические исследования физических свойств полупроводников выдающийся советский физик Абрам Федорович Иоффе.
Он выяснил что полупроводники - особый класс кристаллов со многими замечательными свойствами:
1) С повышением температуры удельное сопротивление полупроводников уменьшается, в отличие от металлов, у которых удельное сопротивление с повышением температуры увеличивается. Причем как правило в широком интервале температур возрастание это происходит экспоненционально:
( = (о ( exp. (-(a / kT ),
где а - так называемая энергия активации проводимости,
о - коэффициент зависящий от температуры.
Удельное сопротивление полупроводниковых кристаллов может также уменьшатся при воздействии света или сильных электронных полей.
2) Свойство односторонней проводимости контакта двух полупроводников.
Именно это свойство используется при создании разнообразных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, тиристоров и др.
3) Контакты различных полупроводников в определенных условиях при освещении или нагревании являются источниками фото - э. д. с. или, соответственно, термо - э. д. с.
МЕТОДЫ ОЧИСТКИ И ПЕРЕПЛАВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
Полупроводниковая техника требует применения особо чистых материалов. Примеси, как было уже отмечено, изменяют свойства полупроводников. Поэтому в зависимости от назначения материалов количество примесей в них ограничивают. Легирующие добавки, вводимые в полупроводники для придания им определённых свойств, также должны быть чисты от примесей. В современной технике пользуются рядом способов получения материалов высокой чистоты. Таковы йодидный метод, применяемый для очистки некоторых металлов, и метод зонной плавки; оба они описаны в разделе производства титана. Кроме этих методов, для очистки полупроводниковых материалов применяют некоторые виды их переплавки. Простейшей является открытая переплавка в тигле, устанавливаемом в электрической печи. Во время переплавки порошкообразного материала из него удаляются влага, газы и окислы (последние всплывают вверх).
Некоторые окислы затвердевают на поверхности расплава, который можно слить, пробиванием отверстия в корке окислов. Более полной является очистка, производимая при переплавке в вакууме. Материал, подлежащий очистке, загружают в кварцевую ампулу, которую помещают в электрическую печь. Открытый конец ампулы соединяют с вакуумной установкой и откачивают выделяющиеся во время расплавления материала газы и летучие соединения. Откачка длится от нескольких минут до нескольких часов в зависимости от времени плавки. Высокую степень чистоты полупроводниковых материалов получают возгонкой или сублимацией. Этот метод основан на способности некоторых твёрдых веществ переходить в парообразное состояние, минуя жидкую фазу, а затем в обратном порядке переходить из парообразного в твёрдое состояние, образуя твёрдый продукт – сублимат. Такими свойствами обладают некоторые полупроводники. Возможность возгонки определяется упругостью паров примесей или чистого вещества при данной температуре. Полупроводниковые материалы обладают довольно высокой упругостью паров, что даёт возможность производить возгонку при относительно низких температурах и небольшом вакууме.
Сублимат1 осаждается на стенках вертикально установленного конденсатора, причём наиболее летучие примеси оседают в верхней зоне, наименее летучие – внизу, а труднолетучие остаются в остатке. В результате повторной возгонки получают более чистый продукт. Различные методы очистки полупроводников дают возможность получать продукт требуемой чистоты. Так, например, зонной плавкой загрязнённого германия удаётся снизить число атомов примеси в нём до одного на 10 атомов германия.
МЕТАЛЛУРГИЯ ГЕРМАНИЯ И КРЕМНИЯ
Важной особенностью, открывающей широкие перспективы применения полупроводников, является получение с их помощью холода и тепла более экономичными путями. Такое использование полупроводников основано на термоэлектрических явлениях, обратных наблюдающимся в термоэлементах. Ток, возникающий в замкнутой цепи термоэлемента, охлаждает горячий спай и наоборот, подогревает холодный спай. При пропускании же тока через термоэлементы в обратном направлении выделяется тепло в горячем спае и отнимается тепло от холодного. Один и тот же спай двух проводников при одном направлении тока нагревается, а при другом охлаждается.
Пользуясь этим, можно охлаждать воздух в холодильном шкафу, в который помещён охлаждаемый спай металла. Для этого в термоэлементе поддерживают температуру нагреваемого спая, близкую к комнатной, отводя от него выделяемую теплоту в окружающую среду; при этом другой спай значительно охлаждается, а через него охлаждается и окружающий воздух. Применяя для этой цели полупроводники, характеризующие достаточно высокой величиной к.п.д. термоэлемента, можно получить в холодильном шкафу необходимые низкие температуры. Например, полупроводники из сплавов висмута, селена, теллура и сурьмы обеспечивают в термоэлементе разность температур около 60°C, а в сконструированном с помощью таких полупроводников холодильном шкафу поддерживается температура минус 16°C. Этим же явлением можно воспользоваться и для отопления зданий. Пропуская электрический ток через термоэлектрическую цепь, помимо обычного нагрева всего проводника, охлаждают один спай и нагревают другой, т.е. переносят тепло от одного спая к другому. Академик А.Ф.Иоффе рассчитал, какое количество тепла будет при этом выделено.
СПИСОК ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Полупроводниковые соединения делят на несколько типов:
Простые полупроводниковые материалы — собственно химические элементы: бор B, углерод C, германий Ge, кремний Si, селен Se, сера S, сурьма Sb, теллур Te и йод I. Самостоятельное применение широко нашли германий, кремний и селен. Остальные чаще всего применяются в качестве легирующих добавок или в качестве компонентов сложных полупроводниковых материалов;
в группу сложных полупроводниковых материалов входят химические соединения, обладающие полупроводниковыми свойствами и включающие в себя два, три и более химических элементов. Полупроводниковые материалы этой группы, состоящие из двух элементов, называют бинарными, и так же, как это принято в химии, имеют наименование того компонента, металлические свойства которого выражены слабее. Так, бинарные соединения, содержащие мышьяк, называют арсенидами, серу — сульфидами, теллур &mdas
Цели работы:
Получить четкое представление о том, что такое полупроводники и их применение. Узнать, как проходит проводимость полупроводников, их свойства и особенности.
Полупроводники как особый класс веществ, были известны еще с конца XIX века, только развитие теории твердого тела позволила понять их особенность. Полупроводниками называют вещества, обладающие электронной проводимостью, занимающей промежуточное положение между металлами и изоляторами. От металлов они отличаются тем, что носители электрического тока в них создаются тепловым движением, светом, потоком электронов и т.п. источником энергии. Без теплового движения (вблизи абсолютного нуля) полупроводники являются изоляторами. С повышением температуры электропроводность полупроводников возрастает и при расплавлении носит металлический характер.
Содержание работы
Введение. 3
Полупроводники и их применение. 4
Зонная теория полупроводников. 4
Собственная проводимость полупроводников. 5
Примесная проводимость полупроводников. 8
Фотопроводимость полупроводников. 10
Полупроводниковые диоды и триоды (транзисторы). 11
Применение полупроводников. . 13
Схемы включения и применения фотоэлектронных приборов. 14
Динамические свойства АИМС. 18
Вывод. 21
Использованная литература. 22
Содержимое работы - 1 файл
физика.doc
Полупроводники и их применение.
- Введение. . . . 3
- Полупроводники и их применение. . . 4
- Зонная теория полупроводников. . . 4
- Собственная проводимость полупроводников. . 5
- Примесная проводимость полупроводников. . 8
- Фотопроводимость полупроводников. . 10
- Полупроводниковые диоды и триоды (транзисторы). 11
- Применение полупроводников. . . 13
- Схемы включения и применения фотоэлектронных приборов. . . . 14
- Динамические свойства АИМС. . 18
- Использованная литература. . . 22
Получить четкое представление о том, что такое полупроводники и их применение. Узнать, как проходит проводимость полупроводников, их свойства и особенности.
Полупроводники как особый класс веществ, были известны еще с конца XIX века, только развитие теории твердого тела позволила понять их особенность. Полупроводниками называют вещества, обладающие электронной проводимостью, занимающей промежуточное положение между металлами и изоляторами. От металлов они отличаются тем, что носители электрического тока в них создаются тепловым движением, светом, потоком электронов и т.п. источником энергии. Без теплового движения (вблизи абсолютного нуля) полупроводники являются изоляторами. С повышением температуры электропроводность полупроводников возрастает и при расплавлении носит металлический характер.
Задолго до этого были обнаружены:
• эффект выпрямления тока на контакте металл-полупроводник.
Были построены первые приборы на их основе.
О. В. Лосев (1923) доказал возможность использования контактов полупроводник-металл для усиления и генерации колебаний (кристаллический детектор). Однако в последующие годы кристаллические детекторы были вытеснены электронными лампами и лишь в начале 50 - х годов с открытием транзисторов (США 1949 год) началось широкое применение полупроводников (главным образом германия и кремния в радиоэлектронике). Одновременно началось интенсивное изучение свойств полупроводников, чему способствовало совершенствование методов очистки кристаллов и их легированию (введение в полупроводник определенных примесей).
В СССР изучение полупроводников начались в конце 20 - х годов под руководством академика А.Ф. Иоффе в Физико-техническом институте АН СССР.
Интерес к оптическим свойствам полупроводников возрос всвязи с открытием вынужденного излучения в полупроводниках, что привело к созданию полупроводниковых лазеров вначале на p - n - переходе, а затем на гетеропереходах.
В последнее время большее распространение получили приборы, основанные на действии полупроводников. Эти вещества стали изучать сравнительно недавно, однако без них уже не может обойтись ни современная электроника, ни медицина, ни многие другие науки.
2. Полупроводники и их применение.
Полупроводниками называют вещества, обладающие электронной проводимостью, занимающей промежуточное положение между металлами и изоляторами. От металлов они отличаются тем, что носители электрического тока в них создаются тепловым движением, светом, потоком электронов и т.п. источником энергии. Без теплового движения (вблизи абсолютного нуля) полупроводники являются изоляторами. С повышением температуры электропроводность полупроводников возрастает и при расплавлении носит металлический характер.
К полупроводниковым материалам относится большинство минералов, неметаллические элементы IV, V. VI групп периодической системы Менделеева, неогранические соединения (оксиды, сульфиды), некоторые сплавы металлов, органические красители. Широко применяемые полупроводниковыми материалами являются элементы IV группы периодической системы Менделеева – германий и кремний.
Различают собственные и примесные полупроводники.
2.1. Зонная теория твердых тел.
В основе зонной теории лежит адиабатическое приближение. Квантово-механическая система разделяется на тяжелые и легкие частицы – ядра и электроны. Поскольку массы и скорости этих частиц знаительно различаются, движение электронов происходит в поле неподвижных ядер, а медленно движущиеся ядра находится в усредненном поле всех электронов. Вследствии этого движение электрона рассматривается в постоянном переодическом поле ядер.
Зонная теория теория твердых тел позволила истолковать существования металлов, диэлектриков и полупроводников, объясняя различия в их электрических свойствах:
• неодинаковое заполнение электронами разрешенных зон.
• ширина запрещенных зон.
Степень заполнения электронами энергетических уровней в зоне определяется заполнением соответствующих атомных уровней. Если при этом какой-то энергетический уровень полностью заполнен, то образующаяся энергетическая зона также заполнена целиком. В общем случае можно говорить о валентной зоне, которая полностью заполнена электронами и образована из энергетических уровней внутренних электронов свободных атомов, и в зоне проводимости (свободной зоне), которая либо частично заполнена электронами, либо свободна и образована из энергетических уровней внешних коллективизированных электронов изолированных атомов.
Различие между металлами и диэлектриками с точки зрения зонной теории состоит в том, что при 0 К в зоне проводимости металлов имеются электроны, а в зоне проводимости диэлектриков они отсутятвуют. Различие же между проводниками определяется шириной запрещенных зон: для диэлектриков она довольно широка, для полупроводников – достаточно узка . при температурах, близких к 0 К, полупроводнки ведут себя как диелектрики, так как переброса электронов в зону проводимости не происходит. С повышением температуры у полупроводников растет число электронов, которые вследствии теплового возбуждения переходят в зону проводимости, т.е. электрическая проводимость проводников в этом случае увеличивается.
2.2. Собственная проводимость полупроводников.
Собственная проводимость возникает в результате перехода электронов с верхних уровней валентной зоны в зону проводимости. При этом в зоне проводимости появляется некоторое число носителей тока — электронов, занимающих уровни вблизи дна зоны; одновременно в валентной зоне освобождается такое же число мест на верхних уровнях. Такие свободные от электронов места на уровнях заполненной при абсолютном нуле валентной зоны называют дырками.
Распределение электронов по уровням валентной зоны и зоны проводимости определяется функцией Ферми. Вычисления показывают, что уровень Ферми лежит точно посредине запрещенной зоны (рис.1). Следовательно, для электронов, перешедших в зону проводимости, величина W—WF мало отличается от половины ширины запрещенной зоны. Уровни зоны проводимости лежат на хвосте кривой распределения. Поэтому вероятность их заполнения электронами можно находить по формуле:
Количество электронов, перешедших в зону проводимости, будет
пропорционально вероятности (1.1). Эти электроны, а также, как мы увидим ниже, образовавшиеся в таком же числе дырки, являются носителями тока.
Поскольку ,проводимость пропорциональна числу носителей, она также должна быть пропорциональна выражению (1.1). Следовательно, электропроводность полупроводников быстро растет с температурой, изменяясь по закону:
где ΔW—ширина запрещенной зоны.
Если на графике откладывать зависимость 1n σ от 1/T, то для полупроводников получается прямая линия, изображенная на рис. 2. По наклону этой прямой можно определить ширину запрещенной зоны ΔW.
При достаточно высокой температуре тепловое движение может разорвать отдельные пары, освободив один электрон (такой случай показан на рис. 3).
Покинутое электроном место перестает быть нейтральным, в его окрестности возникает избыточный положительный заряд + е — образуется дырка. На это место может перескочить электрон одной из соседних пар. В результате дырка начинает также странствовать по кристаллу, как и освободившийся электрон.
Если свободный электрон встретится с дыркой, они рекомбинируют (соединяются). Это означает, что электрон нейтрализует избыточный положительный заряд, имеющийся в окрестности дырки, и теряет свободу передвижения до тех пор, пока снова не получит от кристал
лической решетки энергию, достаточную для своего высвобождения. Рекомбинация приводит к одновременному исчезновению свободного электрона я дырки. На схеме уровней (рис. 1) процессу рекомбинации соответствует переход электрона из зоны проводимости на один из свободных уровней валентной зоны.
Итак, в полупроводнике идут одновременно два процесса: рождение попарно свободных электронов и дырок и рекомбинация, приводящая к попарному исчезновению электронов и дырок. Вероятность первого процесса быстро растет с температурой. Вероятность рекомбинации пропорциональна как числу свободных электронов, так и числу дырок. Следовательно, каждой температуре соответствует определенная -равновесная концентрация электронов и дырок, величина которой изменяется с температурой по такому же закону, как и σ.
В отсутствие внешнего электрического поля электроны проводимости и дырки движутся хаотически. При включении поля на хаотическое движение накладывается упорядоченное движение: электронов против поля и дырок — в направлении поля. Оба движения — и дырок, и электронов — приводят к переносу заряда вдоль кристалла. Следовательно, собственная электропроводность обусловливается как бы носителями заряда двух знаков— отрицательными электронами и положительными дырками.
Собственная проводимость наблюдается во всех без исключения полупроводниках при достаточно высокой температуре.
2.3. Примесная проводимость.
Этот вид проводимости возникает, если некоторые атомы данного полупроводника
заменить в узлах кристаллической решетки атомами, валентность которых отличается на единицу от валентности основных атомов. На рис. 4 условно изображена решетка германия с примесью 5-валентных атомов фосфора. Для образования ковалентных связей с соседями атому фосфора достаточно четырех электронов. Следовательно, пятый валентный электрон оказывается как бы лишним и легко отщепляется от атома за счет энергии теплового движения, образуя странствующий свободный электрон. В отличие от рассмотренного раньше случая образование свободного электрона не сопровождается нарушением ковалентных связей, т. е. образованием дырки. Хотя в окрестности атома примеси возникает избыточный положительный заряд, но он связан с этим атомом и перемещаться по решетке не может. Благодаря этому заряду атом примеси может захватить приблизившийся к нему электрон, но связь захваченного электрона с атомом будет непрочной и легко нарушается вновь за счет тепловых колебаний решетки.
Если у вас возникли сложности с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой - мы готовы помочь.
![]()
![]()
ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение…………………………………………………………………….3
Глава I. Общие сведения о полупроводниках
1.1 Теория и свойства……………………………………………………….5
1.2 Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов…..11
Глава II. Металлургия германия и кремния…………………………….12
Глава III. Применение полупроводников
3.1 Тепловые сопротивления………………………………………………15
3.2 Фотосопротивления…………………………………………………….18
3.3 Термоэлементы………………………………………………………….19
3.4 Холодильники и нагреватели…………………………………………..20
Заключение ………………………………………………………………. 24
Литература………………………………………………………………….25Литература
1. Д.А.Браун.-Новые материалы в технике. -Издательство ЅВысшая школаЅ, М.- 1965,194с.
2. А.с. 281651 СССР МПК Н 01 5/00. Полупроводниковый генератор/
Б.С.Муравский. В.И.Кузнецов. Заявл. 03.12.68., Опублик.
21.03.73. Бюл.N7.
3. Кнаб О.Д. БИСПИН - новый тип полупроводниковых приборов//
Электронная промышленность. 1989. N8
4. Шалимова К.В. "Физика полупроводников" Изд. "Энергия" 1976
5. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных
схем./Москва, Энергия, 1973.
6. Муравский Б.С. Черный В.Н. Яманов И.Л. Потапов А.Н. Жужа М.А.
Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах
с туннельно-прозрачным окислом //Микроэлектроника. 1989. т.1
7. Муравский Б.С. Кузнецов В.И. Фризен Г.И. Черный В.Н. Исследо-
вание кинетики поверхностно-барьерной неустойчивости тока.//
Физика и техника полупроводников. 1972. т.6. N11
8. Стриха В.И. Теоретические основы контакта металл-полупрово-
дник.// Киев. "Наукова думка", 1974.
9. А.с. 1438537 СССР, МКИ Н01L 29/42 Поверхностно-барьерный ге-
нератор/ Б.С.Муравский, А.Н.Потапов, И.Л.Яманов. Заявл.
30.12.86.
10. Бессарабов Б.Ф., Федюк В.Д., Федюк Д.В., Диоды, тиристоры,
транзисторы и микросхемы широкого применения. Справочник. /
Воронеж. ИПФ "Воронеж" 1994.Читайте также:
