История развития микросхем кратко

Обновлено: 02.07.2024

Возможно, самым выдающимся изобретением за последние 50 лет было создание полупроводниковой микросхемы. Она была изобретена в 1959 году американскими инженерами Д. Килби и Р. Нойсом, будущим основателем корпорации Intel. Независимо друг от друга, но практически одновременно, они предложили компоновать отдельные электронные элементы на общем (интегральном) основании, изготовленном из полупроводниковых материалов. В 1961 году компания Fairchild Semiconductor, которую возглавлял Р. Нойс, первой в мире наладила коммерческое производство полупроводниковых микросхем, и с тех пор в электронной технике вместо большого числа транзисторов стали применяться микросхемы. Размеры электронных устройств резко уменьшились, появились новые функциональные возможности.

Комбинация полупроводников с разными типами проводимости обладает и другими замечательными свойствами. Она может создавать э. д. с. (электродвижущую силу) при падении света на прибор либо, наоборот, излучать свет при прохождении тока определённой полярности, вырабатывать термоэлектричество, создавать разность температур на разных концах (эффект Пельтье).

Широко распространены полупроводниковые датчики температуры, тензодатчики (датчики деформаций), датчики магнитного поля.

Изобретённые в начале XX века ламповые диоды и триоды стали основой разнообразных электронных устройств — радиоприёмников и передатчиков, усилителей, измерительных приборов и автоматики. Однако лампы, при всех их достоинствах (высокое качество ламповых усилителей звука, большая мощность ламповых передатчиков, отсутствие до недавнего времени альтернативы кинескопам и другое), имеют серьёзные недостатки — большое потребление энергии, требуемой для разогрева катодов, большие габариты аппаратуры, выполненной на их основе, и недостаточную надёжность.

Кроме этого, любая электронная схема содержит многочисленные резисторы, конденсаторы, соединительные проводники, а также зачастую намоточные детали и механические узлы. Элементы соединяются между собой пайкой, иногда сваркой. Аппаратура была трудоёмкой в изготовлении и дорогой.

Попытки обойти эти недостатки оказались не слишком успешными, и вполне закономерно физики и инженеры стали искать иную элементную базу.

В самом начале 20-х годов началась эра твердотельных полупроводниковых приборов. Молодой физик О. В. Лосев разработал в Нижегородской радио-лаборатории первый полупроводниковый диод — кристадин. Он успешно использовался для усиления и генерирования электрических колебаний. В дальнейшем появились диоды и других типов — выпрямительные, точечные, варикапы, стабилитроны, туннельные, фотодиоды, светодиоды и др.

Физика твёрдого тела стала интенсивно развиваться. В нашей стране в её развитие наибольший вклад внесла научная школа академика А. Ф. Иоффе.

Были созданы также четырёхслойные (тиристоры) и пятислойные (симисторы) приборы для работы в ключевом режиме в силовых цепях.

Однако жизнь властно требовала дальнейшего совершенствования электронных устройств. Трудоёмкость изготовления, материалоемкость и габариты были всё ещё слишком высоки. Переход на печатные платы позволил частично решить эти проблемы, но большое число отдельных электронных компонентов ставило свои ограничения. Нужно было сводить к минимуму количество паяных соединений, снижающих надёжность, и длину соединительных проводников, снижающую быстродействие. От многочисленных резисторов и конденсаторов тоже необходимо было как-то избавляться, хотя бы частично.

Развитие вычислительной техники поставило также задачу создания сверхминиатюрных ячеек памяти и логических элементов. Эта задача принципиально не могла быть решена вне рамок твердотельной технологии.

Дальнейший прогресс электроники связан с использованием интегральных схем. Интегральная микросхема — это миниатюрный электронный прибор, элементы которого нераздельно связаны конструктивно и соединены между собой электрически.

Существуют и плёночные микросхемы на керамической подложке, на которой формируют элементы путём осаждения различных материалов (алюминий, титан, титанат бария, оксид олова) в виде тонких плёнок. Для получения интегральных схем с определёнными функциями наносят многослойные структуры через трафареты. Между слоями создаются в нужных местах связи.

Плёночные и полупроводниковые элементы могут располагаться в одном корпусе микросхемы (так называемая гибридная технология). Возможны и сочетания в одном корпусе, например, управляющей логической схемы и высоковольтного мощного ключевого транзистора для систем зажигания автомобильных двигателей. Вариантов гибридных схем множество.

Естественно, изготовить современную интегральную микросхему возможно только на полностью автоматизированном оборудовании с управлением от компьютера. Более того, даже разработку топологии микросхемы уже невозможно выполнить без вычислительной техники — настолько она сложна.

Все процессы изготовления интегральных микросхем требуют высококачественных материалов и точного оборудования, высочайшей культуры производства, стерильной чистоты.

Плотность размещения элементов в микросхемах становится все больше, так как размеры элементов постоянно уменьшаются, их уже нельзя измерить в микрометрах. На повестке дня — нанотехнологии.

Роберт Нойс, работавший в компании Fairchald Semiconductor (он являлся и одним из основателей этой фирмы) практически одновременно и независимо от Килби разработал свой вариант конструкции интегральной микросхемы, запатентовал его и… вверг на 10 лет Texas Instruments и Fairchald Semiconductor в непрерывную патентную войну, завершившуюся 6 ноября 1969 года решением апелляционного суда США по делам патентов и таможенных сборов, согласно которому единственным изобретателем микросхемы должен считаться… Роберт Нойс! Верховный суд США подтвердил это решение.

Впрочем, ещё до вынесения судебного вердикта, в 1966 году, компании договорились о признании друг за другом равных прав на интегральную микросхему, а оба изобретателя — Килби и Нойс были удостоены одинаковых высших наград научного и инженерного сообществ США: National Medal of Science и National Medal of Technology.


Содержание

История

Изобретение микросхем началось с изучения свойств тонких оксидных плёнок, проявляющихся в эффекте плохой электро-проводимости при небольших электрических напряжениях. Проблема заключалась в том, что в месте соприкосновения двух металлов не происходило электрического контакта или он имел полярные свойства. Глубокие изучения этого феномена привели к открытию диодов а позже транзисторов и интегральных микросхем.

Первая советская полупроводниковая микросхема была создана в 1961 г. в Таганрогском радиотехническом институте, в лаборатории Л. Н. Колесова.

Первая в СССР полупроводниковая интегральная микросхема была разработана (создана) на основе планарной технологии, разработанной в начале 1960 года в НИИ-35 (затем переименован в НИИ "Пульсар") коллективом, который в дальнейшем был переведён в НИИМЭ (Микрон). Создание первой отечественной кремниевой интегральной схемы было сконцентрировано на разработке и производстве с военной приёмкой серии интегральных кремниевых схем ТС-100 (37 элементов — эквивалент схемотехнической сложности триггера, аналога американских ИС серии SN-51 фирмы Texas Instruments). Образцы-прототипы и производственные образцы кремниевых интегральных схем для воспроизводства были получены из США. Работы проводились НИИ-35 (директор Трутко) и Фрязинским заводом (директор Колмогоров) по оборонному заказу для использования в автономном высотомере системы наведения баллистической ракеты. Разработка включала шесть типовых интегральных кремниевых планарных схем серии ТС-100 и с организацией опытного производства заняла в НИИ-35 три года (с 1962 по 1965 год). Ещё два года ушло на освоение заводского производства с военной приёмкой во Фрязино (1967 год).[1]

Уровни проектирования

  • Физический — методы реализации одного транзистора (или небольшой группы) в виде легированных зон на кристалле.
  • Электрический — принципиальная электрическая схема (транзисторы, конденсаторы, резисторы и т. п.).
  • Логический — логическая схема (логические инверторы, элементы ИЛИ-НЕ, И-НЕ и т. п.).
  • Схемо- и системотехнический уровень — схемо- и системотехническая схемы (триггеры, компараторы, шифраторы, дешифраторы, АЛУ и т. п.).
  • Топологический — топологические фотошаблоны для производства.
  • Программный уровень (для микроконтроллеров и микропроцессоров) — команды ассемблера для программиста.

В настоящее время большая часть интегральных схем разрабатывается при помощи САПР, которые позволяют автоматизировать и значительно ускорить процесс получения топологических фотошаблонов.

Классификация

Степень интеграции

В СССР были предложены следующие названия микросхем в зависимости от степени интеграции (указано количество элементов для цифровых схем):

  • Малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле.
  • Средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле.
  • Большая интегральная схема (БИС) — до 10000 элементов в кристалле.
  • Сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — до 1 миллиона элементов в кристалле.
  • Ультрабольшая интегральная схема (УБИС) — до 1 миллиарда элементов в кристалле.
  • Гигабольшая интегральная схема (ГБИС) — более 1 миллиарда элементов в кристалле.

В настоящее время название ГБИС практически не используется (например, последние версии процессоров Pentium 4 содержат пока несколько сотен миллионов транзисторов), и все схемы с числом элементов, превышающим 10000, относят к классу СБИС, считая УБИС его подклассом.

Технология изготовления

  • Полупроводниковая микросхема — все элементы и межэлементные соединения выполнены на одном полупроводниковом кристалле (например, кремния, германия, арсенида галлия).
  • Плёночная микросхема — все элементы и межэлементные соединения выполнены в виде плёнок:
    • толстоплёночная интегральная схема;
    • тонкоплёночная интегральная схема.

    Вид обрабатываемого сигнала

    • Аналоговые
    • Цифровые
    • Аналого-цифровые

    Аналоговые микросхемы — входные и выходные сигналы изменяются по закону непрерывной функции в диапазоне от положительного до отрицательного напряжения питания.

    Цифровые микросхемы — входные и выходные сигналы могут иметь два значения: логический ноль или логическая единица, каждому из которых соответствует определённый диапазон напряжения. Например, для микросхем ТТЛ-логики при питании +5 В диапазон напряжения 0…0,4 В соответствует логическому нулю, а диапазон 2,4…5 В соответствует логической единице. Для микросхем ЭСЛ-логики при питании −5,2 В: логическая единица — это −0,8…−1,03 В, а логический ноль — это −1,6…−1,75 В.

    Аналого-цифровые микросхемы совмещают в себе формы цифровой и аналоговой обработки сигналов. По мере развития технологий получают всё большее распространение.

    Технологии изготовления

    Типы логики

    Основным элементом аналоговых микросхем являются транзисторы (биполярные или полевые). Разница в технологии изготовления транзисторов существенно влияет на характеристики микросхем. Поэтому нередко в описании микросхемы указывают технологию изготовления, чтобы подчеркнуть тем самым общую характеристику свойств и возможностей микросхемы. В современных технологиях объединяют технологии биполярных и полевых транзисторов, чтобы добиться улучшения характеристик микросхем.

      Микросхемы на униполярных (полевых) транзисторах — самые экономичные (по потреблению тока):
        -логика (металл-окисел-полупроводник логика) — микросхемы формируются из полевых транзисторов n-МОП или p-МОП типа; -логика (комплементарная МОП-логика) — каждый логический элемент микросхемы состоит из пары взаимодополняющих (комплементарных) полевых транзисторов (n-МОП и p-МОП).
        — резисторно-транзисторная логика (устаревшая, заменена на ТТЛ); — диодно-транзисторная логика (устаревшая, заменена на ТТЛ); — транзисторно-транзисторная логика — микросхемы сделаны из биполярных транзисторов с многоэмиттерными транзисторами на входе; — транзисторно-транзисторная логика с диодами Шотки — усовершенствованная ТТЛ, в которой используются биполярные транзисторы с эффектом Шотки. — эмиттерно-связанная логика — на биполярных транзисторах, режим работы которых подобран так, чтобы они не входили в режим насыщения, — что существенно повышает быстродействие. — интегрально-инжекционная логика.

      КМОП и ТТЛ (ТТЛШ) технологии являются наиболее распротранёнными логиками микросхем. Где небходимо экономить потребление тока, применяют КМОП-технологию, где важнее скорость и не требуется экономия потребляемой мощности применяют ТТЛ-технологию. Слабым местом КМОП-микросхем является уязвимость от статического электричества — достаточно коснуться рукой вывода микросхемы и её целостность уже не гарантируется. С развитием технологий ТТЛ и КМОП микросхемы по параметрам сближаются и, как следствие, например, серия микросхем 1564 — сделана по технологии КМОП, а функциональность и размещение в корпусе как у ТТЛ технологии.

      Микросхемы, изготовленные по ЭСЛ-технологии, являются самыми быстрыми, но наиболее энергопотребляющими и применялись при производстве вычислительной техники в тех случаях, когда важнейшим параметром была скорость вычисления. В СССР самые производительные ЭВМ типа ЕС106х изготавливались на ЭСЛ-микросхемах. Сейчас эта технология используется редко.

      Технологический процесс

      При изготовлении микросхем используется фотопроцесс, при этом схему формируют на подложке, обычно из диоксида кремния, полученной термическим оксидированием кремния. Ввиду малости размера элементов микросхем, от использования видимого света и даже ближнего ультрафиолета при засветке давно отказались. В качестве характеристики технологического процесса производства микросхем указывают ширину полосы фотоповторителя и, как следствие, размеры транзисторов (и других элементов) на кристалле. Этот параметр, однако, находится во взаимозависимости c рядом других производственных возможностей: чистотой получаемого кремния, характеристиками инжекторов, методами вытравливания и напыления.

      В 70-х годах ширина полосы составляла 2-8 мкм, в 80-х была улучшена до 0,5-2 мкм. Некоторые экспериментальные образцы рентгеновского диапазона обеспечивали 0,18 мкм.

      В конце 90-х фирма Texas Instruments создала новую ультрафиолетовую технологию с шириной полосы около 0,08 мкм. Но достичь её в массовом производстве не удавалось вплоть до недавнего времени. Она постепенно продвигалась к нынешнему уровню, совершенствуя второстепенные детали. По обычной технологии удалось обеспечить уровень производства вплоть до 0,09 мкм.

      Новые процессоры (сперва это был Core 2 Duo) делают по новой УФ-технологии 0,045 мкм. Есть и другие микросхемы давно достигшие и превысившие данный уровень (в частности видеопроцессоры и flash-память фирмы Samsung — 0,040 мкм). Тем не менее дальнейшее развитие технологии вызывает всё больше трудностей. Обещания фирмы 2006 году так и не сбылись.

      Сейчас альянс ведущих разработчиков и производителей микросхем работает над тех. процессом 0,032 мкм.

      Контроль качества

      Для контроля качества интегральных микросхем широко применяют так называемые тестовые структуры.

      Назначение

      Интегральная микросхема может обладать законченным, сколь угодно сложным, функционалом — вплоть до целого микрокомпьютера (однокристальный микрокомпьютер).

      Аналоговые схемы

      Цифровые схемы

      • Логические элементы
      • Буферные преобразователи
      • Модули памяти
      • (Микро)процессоры (в том числе ЦПУ в компьютере)
      • Однокристальные микрокомпьютеры
      • ПЛИС - программируемые логические интегральные схемы

      Цифровые интегральные микросхемы имеют ряд преимуществ по сравнению с аналоговыми:

      Аналогово-цифровые схемы

        и АЦП
      • Трансиверы (например, преобразователь интерфейса RS422)
      • Модуляторы и демодуляторы
        • Радиомодемы
        • Декодеры телетекста, УКВ-радио-текста
        • Трансиверы Fast
        • Dial-Up модемы
        • Приёмники цифрового ТВ
        • Сенсор оптической мыши

        Серии микросхем

        Аналоговые и цифровые микросхемы выпускаются сериями. Серия — это группа микросхем, имеющих единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначенные для совместного применения. Микросхемы одной серии, как правило, имеют одинаковые напряжения источников питания, согласованы по входным и выходным сопротивлениям, уровням сигналов.

        Корпуса микросхем

        Микросхемы выпускаются в двух конструктивных вариантах — корпусном и бескорпусном.
        Бескорпусная микросхема — это полупроводниковый кристалл, предназначенный для монтажа в гибридную микросхему или микросборку.
        Корпус — это часть конструкции микросхемы, предназначенная для защиты от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов. Корпуса стандартизованы для упрощения технологического процесса изготовления изделий из разных микросхем. Число стандартных корпусов исчисляется сотнями!
        В российских корпусах расстояние между выводами измеряется в миллиметрах и наиболее часто это 2,5 мм или 1,25 мм. У импортных микросхем расстояние измеряют в дюймах, используя величину 1/10 или 1/20 дюйма, что соответствует 2,54 и 1,28 мм. В корпусах до 16 выводов эта разница не значительна, а при больших размерах идентичные корпуса уже несовместимы.
        В современных импортных корпусах для поверхностного монтажа применяют и метрические размеры: 0,8 мм; 0,65 мм и другие.

        Специфические названия микросхем

        Из большого количества цифровых микросхем изготавливались процессоры. Фирма Intel 4004, которая выполняла функции процессора. Такие микросхемы получили название микропроцессор. Микропроцессоры фирмы Intel совершенствовались: Intel 8008, Intel 8080, Intel 8086, Intel 8088 (на основе двух последних микропроцессоров фирма персональные компьютеры).

        Микропроцессор выполняет в основном функции АЛУ (арифметико-логическое устройство), а дополнительные функции связи с периферией выполнялись с помощью специально для этого изготовленных наборов микросхем. Для первых микропроцессоров число микросхем в наборах исчислялось десятками, а сейчас это набор из двух-трех микросхем, который получил термин чипсет.

        Микропроцессоры со встроенными контроллерами памяти и ввода-вывода, ОЗУ и ПЗУ, а также другими дополнительными функциями называют микроконтроллерами.

        Следующий важный шаг в развитии транзисторной техники был связан с изобретением в 1951 г. плоскостного транзистора и практи­чески совпал по времени с массовым переходом от германия к крем­нию. Позднее опыт изготовления транзисторов, основанный на диф­фузии, способствовал разработке групповой технологии производ­ства транзисторов, что резко снизило их стоимость. В 1952 г. был изобретен полевый (униполярный) транзистор.

        Днем рождения микроэлектроники следует считать появление интегральных схем. Первая ИС была выпущена фирмой Fairchild Semiconductor в 1961 г. и представляла собой триггер, собранный из четырех биполярных транзисторов и двух резисторов. С момента изобретения транзистора до появления микросхем прошло всего 13 лет. К середине 60-х годов XX в. интегральные схемы содержат до 100 элементов, а их номенклатура стремительно расширяется. В начале 70-х годов XX в. появляются первые БИС (большие интег­ральные схемы), содержащие на кристалле уже сотни и тысячи элементов размером от 3 до 100 мкм.

        В 1971 г. появился первый микропроцессор.

        Значительный вклад в развитие микроэлектроники внесли со­ветские и российские ученые. За разработку полупроводниковых лазеров на основе гетеропереходов, без которых не обходится ни один современный компьютер, наш соотечественник Ж. И.Алфе­ров в 2001 г. был удостоен Нобелевской премии.

        Принципиально важным моментом является то, что при изго­товлении микросхем используется групповой метод производства. Суть его заключается в том, что на одной пластине полупровод­никового материала одновременно изготавливается большое чис­ло интегральных схем. Кроме того, если позволяет технологиче­ский процесс, одновременно в работе находится несколько де­сятков таких пластин. По завершении основного технологическо­го цикла пластина режется на кристаллы, каждый из которых пред­ставляет собой отдельную микросхему. На заключительной стадии осуществляют корпусирование — помещение кристалла в корпус и соединение контактных площадок с выводами (ножками) ин­тегральной схемы.

        Наноэлектроника

        Наноэлектроника — область электроники, занимающаяся разработкой физических и технологических основ создания интегральных электронных схем с характерными топологическими размерами элементов менее 100 нм.

        Развитие микропроцессоров

        ЭВМ получили широкое распространение, начиная с 50-х годов. Прежде это были очень большие и дорогие устройства, используемые лишь в государственных учреждениях и крупных фирмах. Размеры и форма цифровых ЭВМ неузнаваемо изменились в результате разработки новых устройств, называемых микропроцессорами.

        Микропроцессор (МП) - это программно-управляемое электронное цифровое устройство, предназначенное для обработки цифровой информации и управления процессом этой обработки, выполненное на одной или нескольких интегральных схемах с высокой степенью интеграции электронных элементов.

        В 1970 году Маршиан Эдвард Хофф из фирмы Intel сконструировал интегральную схему, аналогичную по своим функциям центральному процессору большой ЭВМ - первый микропроцессор Intel-4004, который уже в 1971 году был выпущен в продажу.

        15 ноября 1971 г. можно считать началом новой эры в электронике. В этот день компания приступила к поставкам первого в мире микропроцессора Intel 4004.

        Это был настоящий прорыв, ибо МП Intel-4004 размером менее 3 см был производительнее гигантской машины ENIAC. Правда работал он гораздо медленнее и мог обрабатывать одновременно только 4 бита информации (процессоры больших ЭВМ обрабатывали 16 или 32 бита одновременно), но и стоил первый МП в десятки тысяч раз дешевле.

        Вместе с тем кристалл располагал весьма ограниченными средствами ввода/вывода, а в системе команд отсутствовали операции логической обработки данных (И, ИЛИ, ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ), в связи с чем их приходилось реализовывать с помощью специальных подпрограмм. Модуль i4004 не имел возможности останова (команды HALT) и обработки прерываний.

        Цикл команды процессора состоял из 8 тактов задающего генератора. Была мультиплексированная ША (шина адреса)/ШД (шина данных), адрес 12-разрядный передавался по 4-разряда.

        В отличие от своих предшественников МП имел архитектуру ЭВМ принстонского типа, а в качестве памяти допускал применение комбинации ПЗУ и ОЗУ.

        По сравнению с i4004 число РОН уменьшилось с 16 до 8, причем два регистра использовались для хранения адреса при косвенной адресации памяти (ограничение технологии - блок РОН аналогично кристаллам 4004 и 4040 в МП 8008 был реализован в виде динамической памяти). Почти вдвое сократилась длительность машинного цикла (с 8 до 5 состояний). Для синхронизации работы с медленными устройствами был введен сигнал готовности READY.

        Система команд насчитывала 65 инструкций. МП мог адресовать память объемом 16 Кбайт. Его производительность по сравнению с четырехразрядными МП возросла в 2,3 раза. В среднем для сопряжения процессора с памятью и устройствами ввода/вывода требовалось около 20 схем средней степени интеграции.

        Возможности р-канальной технологии для создания сложных высокопроизводительных МП были почти исчерпаны, поэтому "направление главного удара" перенесли на n-канальную МОП технологию.

        1 апреля 1974 МП Intel 8080 был представлен вниманию всех заинтересованных лиц. Благодаря использованию технологии п-МОП с проектными нормами 6 мкм, на кристалле удалось разместить 6 тыс. транзисторов. Тактовая частота процессора была доведена до 2 Мгц, а длительность цикла команд составила уже 2 мкс. Объем памяти, адресуемой процессором, был увеличен до 64 Кбайт.

        За счет использования 40-выводного корпуса удалось разделить ША и ШД, общее число микросхем, требовавшихся для построения системы в минимальной конфигурации, сократилось до 6.

        В РФ были введены указатель стека, активно используемый при обработке прерываний, а также два программнонедоступных регистра для внутренних пересылок. Блок РОНов был реализован на микросхемах статической памяти. Исключение аккумулятора из РФ и введение его в состав АЛУ упростило схему управления внутренней шиной.

        Новое в архитектуре МП - использование многоуровневой системы прерываний по вектору. Такое техническое решение позволило довести общее число источников прерываний до 256 (до появления БИС контроллеров прерываний схема формирования векторов прерываний требовала применения до 10 дополнительных чипов средней интеграции). В i8080 появился механизм прямого доступа в память (ПДП) (как ранее в универсальных ЭВМ IBM System 360 и др.).

        ПДП открыл зеленую улицу для применения в микроЭВМ таких сложных устройств, как накопители на магнитных дисках и лентах дисплеи на ЭЛТ, которые и превратили микроЭВМ в полноценную вычислительную систему.

        Традицией компании, начиная с первого кристалла, стал выпуск не отдельного чипа ЦП, а семейства БИС, рассчитанных на совместное использование.

        Современные микропроцессоры построены на 32-х битной архитектуре x86 или IA-32 (Intel Architecture 32 bit), но совсем скоро произойдет переход на более совершенную, производительную 64-х битную архитектуру IA-64 (Intel Architecture 64 bit). Фактически переход уже начался, этому свидетельствует массовый выпуск и выход в продажу в 2003 году нового микропроцессора Athlon 64 корпорации AMD (Advanced Micro Devices), этот микропроцессор примечателен тем, что может работать как с 32-х битными приложениями, так и с 64-х битными. Производительность 64-х битных микропроцессоров намного выше.

        Микропроцессоры i80386

        В октябре 1985 года Intel анонсировал первый 32-разрядный микропроцессор i80386. Первым компьютером, использующий этот микропроцессор, был Compaq Desk Pro 386. Полностью 32-разрядная архитектура в новом микропроцессоре была дополнена расширенным устройством управления памятью, которое помимо блока сегментации было дополнено блоком управления страницами. Этого устройство позволяет легко переставлять сегменты из одного места памяти в другое. На тактовой частоте 16 МГц быстродействие составляло 6 Mips. 32-адресные линии позволяли физически адресовать 4Gb памяти, кроме того, был введен новый режим управления виртуальной памятью V86. В этом режиме могли одновременно могли выполняться несколько задач для i8086.

        Микропроцессоры i80486

        Появление нового микропроцессора i80486SX можно считать одним из важнейших событий 1991г. Предварительные испытания показали, что i486SX с частотой 20 МГц работал примерно на 40% быстрее i486DX с частотой 33 МГц. Микропроцессор i486SX содержит на кристалле КЭШ память, а математический сопроцессор заблокирован. Если микропроцессор i486DX был ориентирован на применение в сетевых серверах и на рабочих станциях, то i486SX послужил отправной точкой для создания мощных настольных компьютеров. В семействе i486 предусмотрены несколько новых возможностей для построения мультипроцессорных систем: команды поддержки, механизм семафоров памяти. Аппаратно реализовано выявление недостоверности строки Кэш-памяти, обеспечивающее согласованность между несколькими модулями Кэш-памяти.

        Процессоры Pentium

        1 ноября 1995 года Intel объявила о начале коммерческих поставок МП нового поколения P6, в основе которого лежит комбинация технологии многократного предела ветвления, анализ потоков данных и эмуляция выполняемых инструкций. В корпусе Микросхема размещаются 2 кристалла: 256/512Кб кэш-память 2-го уровня и сам МП. На кристалле процессора располагается 16Кб кеш 1-го уровня. В семейство Р6 входит МП с тактовыми частотами 200, 166, 150 МГц. Производительность Р6 - 200 по тесту производительности соответствует 366, т.e. этот МП превосходит свой аналог в RISC. Число транзисторов МП 5,5 млн. а кеш памяти 31 млн. При напряжении питания около 3В МП вместе с кеш памятью рассеивает 14Вт. Изделие выполнено в квадратном корпусе с 387 выводами. Архитектура Р6 позволяет объединять между собой множество МП создавая таким образом непревзойденную масштабируемость. Специально для Р6 Intel разработал 2 набора Микросхема для шины PCI. Развитие линии Р6 пойдет в направлении увеличения тактовой частоты и снижения размеров технических норм, а также увеличения емкость кэша 1-го уровня до 32Кб, кроме того предполагается совершенствование архитектуры с учетом технологии мультимедиа, в частности цифровой обработки видео. Совершенно новый и необычный МП Р7, совместно разработанный Intel и HP, появился в 1997 году. Он поддерживает длинные инструкции и имеет производительность 1млд. MIPS.

        Производительность процессоров

        До недавнего времени основной мерой производительности МП являлась их тактовая частота, однако по мере усложнения архитектуры (RISC-ядро, встроенный кеш, технология внутреннего умножения частоты) данный параметр работы МП хотя и остался одним из важнейших, но уже не был определяющим. В 1992 году Intel предложила индекс для оценки производительности своих МП iCOMP. Индекс представляет собой число, которое выражает производительность МП семейства i86. Производительность 486SX-25 принимается за 100. При вычислении индекса учитываются операции со следующими "взвешенными" компонентами: 16-разрядные целые 57%, 16-р вещественные 13%, 32-р целые 25%, 32-р вещественные 5%.

        Читайте также: