Усилители промежуточной частоты реферат

Обновлено: 04.07.2024

УПЧ работают на фиксированной (промежуточной) частоте, что позволяет упростить их конструкцию и применить сложные резонансные системы. УПЧ усиливают принимаемый сигнал до величины, необходимой для нормальной работы детектора и осуществляют основное усиление ВЧ сигнала.

УПЧ должен выполнять следующее:

-усиливать принимаемый сигнал;

-обеспечивать избирательность по соседнему каналу.

Коэффициент усиления по напряжению УПЧ обычно равен 10 2 - 10 6 и поэтому число каскадов доходит до десяти.

Полоса пропускания супергетеродинного приемника определяется в основном полосой пропускания УПЧ. Поэтому полоса пропускания УПЧ должна быть не меньше полосы спектра частот сигнала, и, следовательно, она зависит от типа сигнала и его модуляции.

Промежуточная частота (резонансная частота усилителя) зависит от типа приемника, и ее значения обычно лежат в пределах от 110кГц до 200 МГц, причем широкие полосы пропускания выполнимы при высоких промежуточных частотах, а узкие - при низких промежуточных частотах.

Радиовещательные приемники амплитудно-модулированных сигналов (АМС) имеют fп = 465 кГц, а при приеме частотно-модулированных сигналов (ЧМС) fп=6,5 МГц. Радиолокационные приемники имеют fп= 10 -100 МГц и выше.

По ширине полосы пропускания усилители делят на узкополосные и широкополосные. К узкополосным условно относят усилители с относительной полосой пропускания П/ fп 0,05.

Избирательность супергетеродинного приемника по соседнему каналу (малые расстройки) определяется формой частотной характеристики УПЧ. Для получения хорошей частотной избирательности усиление должно резко уменьшаться за пределами полосы пропускания. Следовательно, частотная характеристика усилителя должна приближаться к прямоугольной (рис. 3.3.19).

В УПЧ применяют одиночные контуры, связанные контуры — полосовые фильтры и фильтры сосредоточенной избирательности. Полоса пропускания и форма частотной характеристики усилителя должны совпадать с шириной и формой спектра сигнала. В большинстве случаев частотную характеристику усилителя стараются выполнить близкой к прямоугольной.

Поскольку частотная характеристика высокочастотного тракта прием­ника определяется УПЧ, то частотные и переходные характеристики, а следовательно, линейные и нелинейные искажения сигналов определяются также УПЧ.

Модулированный высокочастотный сигнал усиливается УПЧ, затем детектируется и на выходе детектора получается низкочастотный сигнал, соответствующий промодулированному параметру (амплитуде, частоте, фазе). Поэтому в УПЧ искажения промодулированного параметра высокочастотного сигнала должны быть минимальными. Например, при амплитудно-модулированном сигнале важны искажения его огибающей, при фазо-модулированном сигнале (ФМС) — искажения изменения фазы во времени, а при импульсно-модулированном сигнале (ИМС) — искажения огибающей импульсов.

В узкополосных усилителях коэффициент усиления каскада ог­раничивается устойчивым коэффициентом усиления, а в широкополосных—он небольшой и не всегда ограничивается устойчивым коэффициентом усиления. Устойчивость усилителей обеспечивают снижением коэффициента усиления каскада до устойчивого значения, которого достигают, уменьшая коэффициент трансформации на выходе УП или увеличивая емкость контура (уменьшая эквивалентное резонансное сопротивление контура).

Эксплуатационные требования: Т р = -15 0 +40 0 С, t э = 1000 ч., корпус, серия К151,159.

Введение

Постоянной тенденцией в радиоэлектронике является уменьшение габаритов и масс аппаратуры, повышение ее надежности. До появления интегральных микросхем этот процесс протекал в направлении миниатюризации отдельных элементов. Следующим шагом в миниатюризации было создание техники интегральных микросхем. Этот этап принципиально отличался от предыдущих тем, что в нем аппаратура собирается не из отдельных элементов или модулей, а из функциональных схем, образованных в едином технологическом процессе производства. Основными разновидностями технологии микросхем являются: пленочная, полупроводниковая и смешанная.

В пленочной технологии интегральная микросхема образуется нанесением на диэлектрическую подложку в определенной последовательности пленок из соответствующих материалов. Изготовленные таким образом микросхемы называются пленочными интегральными микросхемами (ПИМС). Разновидностью ПИМС являются гибридные интегральные микросхемы (ГИМС), у которых часть элементов, имеющих самостоятельное конструктивное оформление, вносится в виде навесных деталей.

Чрезвычайным важными характеристиками микросхем является степень интеграции и плотность упаковки. Степень интеграции представляет показатель сложности микросхемы и характеризуется числом содержащихся в ней элементов и компонентов. Плотностью упаковки называется отношение числа элементов и компонентов микросхемы к ее объему.

Анализ технического задания

В данной курсовой работе необходимо разработать топологический чертеж усилителя промежуточной частоты. Топологическим называется такой чертеж интегральной микросхемы, в котором указана форма, местоположение и коммутативная связь элементов на подложке. В разработку топологии микросхемы входит: расчет геометрии каждого пленочного элемента и допусков на его размеры, выбор материала для них; определение оптимальных условий расположения пленочных и навесных элементов (при этом должны учитываться рассеиваемые мощности элементов, возможные паразитные связи между ними и их влияние на электрические параметры микросхемы); расчет размеров и выбор материала подложки, определение последовательности и выбор технологии напыления пленок.

Плату данного устройства необходимо изготовить фотолитографическим методом, т.е. нужные конфигурации пленок получают в процессе травления. Данная плата должна стабильно работать диапазоне температур от –15 до +40 0 С.

Разработка топологии

Резисторы.

В гибридных интегральных микросхемах широко применяются тонкопленочные резисторы. Сопоставляя физические свойства пленок с техническими требованиями к параметрам резистора, выбирают подходящий материал. При этом руководствуются следующими соображениями: необходимо, чтобы резистор занимал возможно меньшую площадь, а развиваемая в нем температура не должна нарушать стабильность параметров, ускорять процессы старения, выводить величину сопротивления за рамки допуска. По возможности стараются применить более толстые пленки, т.к. у очень тонких ухудшается стабильность сопротивления.

Из сказанных выше соображений выбираем сплав РС-3710, у которого имеются следующие характеристики: диапазон сопротивлений 10…20000 Ом, Удельное сопротивление 100…2000 Ом/, Удельная мощность 20 мВт/мм 2 , ТКС M  = 3.5*10 -4 ,   = 1.5*10 -4 , коэффициент старения M КСТ = 2*10 -6 ч -1 ,  КСТ = 0.1*10 -6 .

Так же имеются конструкционные и технологические ограничения: минимальная длинна резистора l 0 = 0.1 мм, минимальная ширина резистора b 0 = 0.05 мм, минимальная длинна контактного перехода l к = 0.1 мм, минимальное расстояние между краями перекрывающих друг друга пленочных элементов h = 0.05 мм.

Д
ля дальнейшего расчета резисторов необходимо знать их рассеиваемую мощность. Для этого воспользуемся, как бы, упрощенным методом. Для этого все реактивные элементы заменяем на их эквивалент по средней частоте работы схемы, т.е. схема будет выглядеть следующим образом Рис 2:

Необходимые для расчета номиналы берем из исходных данных стр. 3, допустимое относительное отклонение сопротивления от номинального значения для всех резисторов составляет .

Для дальнейшего расчета мощности можно воспользоваться следующей формулой:

а для расчета тока в цепи воспользуемся законом Ома:

Определим ток в цепи резисторов R 9 и R 10, для чего подставим в формулу (2) соответствующие данные:

Далее определим мощность резисторов R 9 и R 10 в отдельности, для этого воспользуемся формулой (1):

Для резистора R 9: мВт.

Для резистора R 10: мВт.

Аналогично и для остальных резисторов:

Ток в цепи R 7 и R 8:

Для резистора R 7: мВт.

Для резистора R 8: мВт.

При помощи уравнений Кирхофа находим остальные токи:

Ток в цепи R 1 и R 2: А.

Для резистора R 1: мВт.

Для резистора R 2: мВт.

Ток в цепи R 4 А.

Для резистора R 4: мВт.

Ток в цепи R 3 А.

Для резистора R 3: мВт.

Ток в цепи R 5 А.

Для резистора R 5: мВт.

Дальнейший расчет резисторов будем проводить в соответствии с [ ].

R 1 и R 10 = 12 k Ом.

Зададимся коэффициентом влияния  = 0.03 и вычислим коэффициенты влияния:

Определим среднее значение и половины полей рассеяния относительной погрешности сопротивления, вызванной изменением температуры по следующим формулам:

Колебательный контур усилителя промежуточной частоты

. Основным узлом современного радиоприёмника является усилитель частоты (УПЧ). Он обеспечивает . общем, конструкция спроектированного колебательного контура усилителя частоты отвечает требованиям технического задания и может .

Усилитель звуковой частоты для стационарной аппаратуры 2-й степени сложности

. видеоусилителей, и другие. Усилители высокой частоты подразделяются на резонансные и полосовые. В частности усилитель частоты супергетеродивного радиоприемника .

Усилитель звуковых частот

. выпускаются следующие усилители интегрального исполнения: высокой (УВ), (УР) и звуковой (УН) частоты; широкополосные . вход одного из его каскадов. Усилитель мощности звуковой частоты на микросхеме К174УН7 .

Усилители звуковых частот

. этого применим ООС, охватывающую оконечный усилители. Для обеспечения заданного коэффициента гармоник . и связь, 1990. 624 с. Проектирование транзисторных усилителей звуковых частот / Н. Л. Безладнов, Б. Я. Герценштейн, В. К. Кожанов и др .

Усилитель звуковых частот

. Усилители звуковых частот делятся на две группы: усилители недетерминированных сигналов и усилители . совместно с каскадом охватывают ООС . . - 624 с. Проектирование транзисторных усилителей звуковых частот / Н.Л. Безладнов, Б.Я. Герценштейн, .

Цифровой канал радиосвязи с разработкой радиоприемного устройства и электрическим расчетом блока усилителя радиочастоты

. частот. В первом и во втором усилителе частоты осуществляется усиление сигналов первой и второй частот. Со второго усилителя частоты .

Цифровой канал радиосвязи с разработкой радиоприемного устройства и электрическим расчетом блока усилителя радиочастоты

. частот. В первом и во втором усилителе частоты осуществляется усиление сигналов первой и второй частот. Со второго усилителя частоты .

Проектирование и расчет усилителя низкой частоты

. усилительный каскад. Ключевые слова: усилитель низкой частоты; инвертирующий усилитель; бестрансформаторный усилительный каскад; коэффициент . каскадов нет необходимости в применении дополнительных усилительных каскадов. Для соединения входного .

Расчет преобразователя частоты

. нужной избирательности и усиления в обычном усилителе частоты. В емкостных преобразователях частоты могут использоваться параметрические диоды .

Расчет многочастотного усилителя низкой частоты

. и характеристик электронного устройства – многокаскадного усилителя низкой частоты, изложение методики и результатов расчета в пояснительной . сопротивление источника входного сигнала, – для каскадов, где , – соответственно входное .

Эксплуатационные требования: Тр = -15 0 +40 0 С, tэ = 1000 ч., корпус, серия К151,159.

Введение

Постоянной тенденцией в радиоэлектронике является уменьшение габаритов и масс аппаратуры, повышение ее надежности. До появления интегральных микросхем этот процесс протекал в направлении миниатюризации отдельных элементов. Следующим шагом в миниатюризации было создание техники интегральных микросхем. Этот этап принципиально отличался от предыдущих тем, что в нем аппаратура собирается не из отдельных элементов или модулей, а из функциональных схем, образованных в едином технологическом процессе производства. Основными разновидностями технологии микросхем являются: пленочная, полупроводниковая и смешанная.

В пленочной технологии интегральная микросхема образуется нанесением на диэлектрическую подложку в определенной последовательности пленок из соответствующих материалов. Изготовленные таким образом микросхемы называются пленочными интегральными микросхемами (ПИМС). Разновидностью ПИМС являются гибридные интегральные микросхемы (ГИМС), у которых часть элементов, имеющих самостоятельное конструктивное оформление, вносится в виде навесных деталей.

Чрезвычайным важными характеристиками микросхем является степень интеграции и плотность упаковки. Степень интеграции представляет показатель сложности микросхемы и характеризуется числом содержащихся в ней элементов и компонентов. Плотностью упаковки называется отношение числа элементов и компонентов микросхемы к ее объему.

Анализ технического задания

В данной курсовой работе необходимо разработать топологический чертеж усилителя промежуточной частоты. Топологическим называется такой чертеж интегральной микросхемы, в котором указана форма, местоположение и коммутативная связь элементов на подложке. В разработку топологии микросхемы входит: расчет геометрии каждого пленочного элемента и допусков на его размеры, выбор материала для них; определение оптимальных условий расположения пленочных и навесных элементов (при этом должны учитываться рассеиваемые мощности элементов, возможные паразитные связи между ними и их влияние на электрические параметры микросхемы); расчет размеров и выбор материала подложки, определение последовательности и выбор технологии напыления пленок.

Плату данного устройства необходимо изготовить фотолитографическим методом, т.е. нужные конфигурации пленок получают в процессе травления. Данная плата должна стабильно работать диапазоне температур от –15 до +40 0 С.

Разработка топологии

Резисторы.

В гибридных интегральных микросхемах широко применяются тонкопленочные резисторы. Сопоставляя физические свойства пленок с техническими требованиями к параметрам резистора, выбирают подходящий материал. При этом руководствуются следующими соображениями: необходимо, чтобы резистор занимал возможно меньшую площадь, а развиваемая в нем температура не должна нарушать стабильность параметров, ускорять процессы старения, выводить величину сопротивления за рамки допуска. По возможности стараются применить более толстые пленки, т.к. у очень тонких ухудшается стабильность сопротивления.

Из сказанных выше соображений выбираем сплав РС-3710, у которого имеются следующие характеристики: диапазон сопротивлений 10…20000 Ом, Удельное сопротивление 100…2000 Ом/  , Удельная мощность 20 мВт/мм 2 , ТКС M ar = 3.5*10 -4 , d ar = 1.5*10 -4 , коэффициент старения MКСТ = 2*10 -6 ч -1 , d КСТ = 0.1*10 -6 .

Так же имеются конструкционные и технологические ограничения: минимальная длинна резистора l0 = 0.1 мм, минимальная ширина резистора b0 = 0.05 мм, минимальная длинна контактного перехода lк = 0.1 мм, минимальное расстояние между краями перекрывающих друг друга пленочных элементов h = 0.05 мм.

Для дальнейшего расчета резисторов необходимо знать их рассеиваемую мощность. Для этого воспользуемся, как бы, упрощенным методом. Для этого все реактивные элементы заменяем на их эквивалент по средней частоте работы схемы, т.е. схема будет выглядеть следующим образом Рис 2:

Необходимые для расчета номиналы берем из исходных данных стр. 3, допустимое относительное отклонение сопротивления от номинального значения для всех резисторов составляет .

Для дальнейшего расчета мощности можно воспользоваться следующей формулой:

а для расчета тока в цепи воспользуемся законом Ома:

Определим ток в цепи резисторов R9 и R10, для чего подставим в формулу (2) соответствующие данные:

Далее определим мощность резисторов R9 и R10 в отдельности, для этого воспользуемся формулой (1):

Для резистора R9: мВт.

Для резистора R10: мВт.

Аналогично и для остальных резисторов:

Ток в цепи R7 и R8:

Для резистора R7: мВт.

Для резистора R8: мВт.

При помощи уравнений Кирхофа находим остальные токи:

Ток в цепи R1 и R2: А.

Для резистора R1: мВт.

Для резистора R2: мВт.

Ток в цепи R4 А.

Для резистора R4: мВт.

Ток в цепи R3 А.

Для резистора R3: мВт.

Ток в цепи R5 А.

Для резистора R5: мВт.

Дальнейший расчет резисторов будем проводить в соответствии с [ ].

Зададимся коэффициентом влияния a = 0.03 и вычислим коэффициенты влияния:

Определим среднее значение и половины полей рассеяния относительной погрешности сопротивления, вызванной изменением температуры по следующим формулам:

где - среднее значение температурного коэффициента сопротивления резистивной пленки.

, - верхняя и нижняя предельные температуры окружающей среды.

Таким образом, подставляя исходные данные в формулы (3) – (5) получаем следующее:

Определим среднее значение и половину поля рассевания относительной погрешности сопротивления, вызванное старением резистивного материала по формулам:

где - среднее значение коэффициента старения резистивной пленки сопротивления.

- половина поля рассеяния коэффициента старения сопротивления резистивной пленки.

Таким образом, получаем следующее:

Определим допустимое значение случайной составляющей поля рассеяния суммарной относительной погрешности сопротивления по следующей формуле:

Определим допустимое значение случайной составляющей поля рассеяния производственной относительной погрешности сопротивления по следующей формуле:

Подставим вычисленные выше значения в данную формулу, получим:

Определим допустимое значение случайной составляющей поля рассеяния производственной относительной погрешности коэффициента формы, по следующей формуле:

Подставим значения и получим:

Определим расчетное значение коэффициента форм резистора:

Определим ширину резистивной пленки:

Определим сопротивление контактного перехода резистора:

Проверим следующее условие:

Определим длину резистора:

Теперь определим среднее значение коэффициента формы:

Определим среднее значение МRПР и половину поля рассеяния d RПР относительной производственной погрешности:

Определим граничные условия поля рассеяния относительной погрешности сопротивления резистора:

Определяем длину резистивной пленки и площадь резистора:

Определим коэффициент нагрузки резистора:

Подобно этому расчету рассчитываем остальные резисторы, а результаты заносим в таблицу №1.

Конденсаторы

Конденсаторы являются широко распространенными элементами гибридных микросхем. Пленочный конденсатор представляет собой последовательно нанесенные на подложку и друг на друга пленки проводника и диэлектрика. Такая конструкция пленочных конденсаторов делает их более сложными элементами микросборок по сравнению с резисторами.

Применение многослойных конденсаторов с большим числом обкладок приводит к усложнению технологии, снижению надежности, электрической прочности конденсаторов и повышение их стоимости. Поэтому в пленочных микросборках в основном применяются лишь трехслойные конденсаторы. Все характеристики пленочных конденсаторов зависят от выбранных материалов. Диэлектрическая пленка должна иметь высокую адгезию к подложке и металлическим обкладкам, обладать высокой электрической прочностью и малыми диэлектрическими потерями и многими другими требованиями и характеристиками.

Под наши номиналы конденсаторов более подходит боросиликатное стекло (ЕТО.035.015.ТУ) с удельной емкостью 150…400 пФ/мм 2 , диэлектрической проницаемостью e 0 = 4, tg d д 0.1…0.15 10 2 , электрической прочностью ЕПР = 300…400 В/мкм, ТКЕ 10 4 М ae д = 0.36, d ae д = 0.01, коэффициентом старения 10 -5 Мк e д = 1, d к e д = 0.5. Также имеем технологические ограничения на размеры обкладок: D l = D b = 0.005мм. – максимальное отклонение размеров обкладок, Мсо = 0.01 – среднее значение производственной относительной погрешности удельной емкости, d со = 0.005 – половина поля рассеивания производственной относительной погрешности удельной емкости.

Вычислим среднее значение относительной погрешности удельной емкости, Вызванной изменением температуры, Мcotb при верхней и Мcotn при нижней предельной температуре:

Среднее значение относительной погрешности емкости, вызванной изменением температуры (2.17; 2.18 [5]):

Половины полей рассеяния относительной погрешности предельной емкости, вызванной изменением температуры:

Половины полей рассеяния относительной погрешности емкости, вызванной изменением температуры (2.20; 2.21 [5]):

Среднее значение относительной погрешности удельной емкости, вызванной старением диэлектрической пленки:

Среднее значение относительной погрешности емкости, вызванной старением диэлектрической пленки (2.23; 2.24 [5]):

Половина поля рассеяния относительной погрешности удельной емкости, вызванной старением диэлектрической пленки:

Половина полей рассеяния относительной погрешности емкости, вызванной старением диэлектрической пленки (2.26; 2.27 [5]):

Найдем сумму средних значений относительных погрешностей:

Введем коэффициент запаса на уход емкости под действием не учетных факторов:

Определим допустимое значение половины поля рассеяния, производственной относительной погрешности активной площади:

- минимальное значение двух предыдущих.

Допустимый коэффициент формы активной площади конденсатора:

Коэффициент формы берем из условия 2.39 [5]:

Определим максимальную удельную емкость, обусловленную заданным допуском на емкость по техническим параметрам:

Коэффициент запаса электрической прочности конденсатора принимаем равный 2:

Определим максимальную удельную емкость, обусловленную электрической прочностью межслойного диэлектрика и рабочим напряжением:

мм. – минимальная толщина диэлектрика, тогда

Если Вам нужна помощь с академической работой (курсовая, контрольная, диплом, реферат и т.д.), обратитесь к нашим специалистам. Более 90000 специалистов готовы Вам помочь.

Усилитель промежуточной частоты (УПЧ) обеспечивает в схеме основное усиление и обладает избирательностью по соседнему каналу. Поскольку в супергетеродинном приемнике промежуточная частота не изменяется, избирательные системы УПЧ конструируются неперестраиваемыми и могут быть собраны на высокодобротных элементах, например, кварцевых фильтрах. Каскады УПЧ охватываются АРУ с целью выравнивания уровня сигнала на выходе приемника.

Техническим заданием задана избирательность по соседнему каналу в 90дБ. Из соображений устойчивости нерационально делать число каскадов вУПЧ более четырёх, а при применяя схему УПЧ с распределенной избирательностью достичь данной избирательности и построить устойчивый и конструктивно простой усилитель не удастся (3).

Применим схему с ФСИ. Схема ФСИ, как правило, не содержит более 4-х контуров, так как фильтр начинает вносить существенное затухание.Для начала попробуем построить ФСИ на дискретных контурах и покажем, что для 3-хкаскадного УПЧ она необходимую избирательность при конструктивной простоте фильтра не обеспечит.

По литературе (1) определяем из семейства резонансных кривых вспомогательные коэффициенты h* и c

fпч – промежуточная частота приемника, fпч=465 кГц

d – собственное затухание контура, d=0.004

П – ширина спектра сигнала

Намеренно возьмем число контуров ФСИ более 4-х: n=6. Такой фильтр уже конструктивно сложен и невыгоден и использоваться не может. По справочной литературе определим по графику ослабление фильтра Sl1 при расстройке на соседний канал (при применении амплитудной модуляции она составляет 10кГц). Для этого рассчитаем параметр :


Также понадобится параметр у1 – относительная расстройка ФСИ.


Из графика пособия определяем, что Sl1 составит 3дБ.

Ослабление, вносимое одним звеном фильтра, рассчитывается по формуле:


Подставив n=6, получим ослабление в 0.5 дБ.

По графику 6.4 , зная * и Slп1, определяем параметр :

Рассчитаем разность частот среза:



fср=10/0.85 = 12 кГц

Повторяем расчет по формулам с рассчитанными значениями и получаем ослабление соседнего канала, получаемое на одном звене фильтра:

Следует задаться ухудшением избирательности из-за рассогласования фильтра с источником сигнала и нагрузкой . Обычно


(5.4.6)

рассогласование составляет 3-6 дБ. Общее ослабление соседнего канала рассчитываем по формуле:



где Sl – вышеупомянутое рассогласование контуров. Примем его в 3дБ. Для 6-извенного фильтра получим общее ослабление всего в:

Это составляет лишь половину требуемой избирательности. И это – при 6-извенном фильтре, конструктивная реализация которого и так невыгодна и сложна. Следовательно, необходим иной подход.

Промышленностью давно освоен выпуск высокодобротных кварцевых полосовых фильтров в интегральном исполнении (3). Их легко согласовать с усилительными элементами и друг с другом, они обеспечивают невысокое затухание на краях диапазона и одновременно высокую избирательность. Осталось подобрать фильтр с необходимыми характеристиками.

Требованиям ТЗ удовлетворяет кварцевый фильтр ПФ1П-4-3 (1)

Ширина полосы пропускания

Заданного ослабления можно достичь, если применить цепочку из четырех кварцевых фильтров в виде согласованной матрицы 4ПФ1П-4-3. Подобный подход позволит избежать необходимости согласовывать звенья через трансформаторы, что ухудшит параметры ФСИ. Покажем, что заданная избирательность обеспечивается.

Примем ослабление контуров в 34дБ и затухание в 10дБ. Фильтры с такими параметрами несложно отобрать из поступившей на сборочное предприятие партии. Кроме того, при изготовлении ФСИ из


более современных звеньев (2,3), обеспечивающих ослабление в 50дБ, можно получить и большие цифры.


Полученная цифра превышает требуемую в ТЗ, остановимся на достигнутом результате. Запас по избирательности позволит в случае необходимости скомпенсировать погрешности согласования ФСИ с усилительными каскадами.

Блок ФСИ необходимо включать в цепь с ослаблением связи. Определим показатель связи фильтра с усилителем. Фильтр будет использоваться в качестве нагрузки 1-го каскада УПЧ, остальные каскады будут апериодическими. Частотная характеристика УПЧ будет определяться первым каскадом, он же будет обеспечивать максимальное усиление.

Показатель связи ФСИ с усилителем рассчитывается по формуле:


где коэффициент рассчитывается по формуле:


Подставляя значения , получим = 1.29. Асв = 1.7

Индуктивность контурной катушки в согласующем контуре первого каскада рассчитывается по формуле:



Получим Lk = 980 мкГн

Теперь рассчитаем индуктивности катушек связи L2 и Ld:

Wб – выходной импеданс ФСИ, 1кОм

коэффициент связи к2 принимаем равным 0.8

Рассчитаем коэффициент включения:


Wk – входной импеданс ФСИ, 2кОм

Получим m1 = 0.16

Рассчитаем индуктивность катушки связи ФСИ с контуром:

Теперь рассчитаем номинал контурного конденсатора:



(5.4.12)

С22 – выходная емкость каскада, 15пФ

Сm – монтажная емкость, 20пФ

Получим Ск = 100 пФ


Рассчитаем резонансный коэффициент усиления каскада по напряжению:

Подставив, все значения, получим Коф = 60.

Рассчитаем режим питания транзистора. Расчет режима питания всех каскадов аналогичен расчету их в блоке УРС.

Зададимся режимом рабочей точки транзистора:

Определяем для диапазона температур (-40…+60)С величину теплового тока:


Рассчитываем температурную нестабильность напряжения эмиттер-база по формуле (5.18), задавшись  = 1.8:



Рассчитываем температурную нестабильность тока коллектора:

Питание будем подавать аналогично каскаду УРС смещением базы через делитель в схеме с эмиттерной термокомпенсацией. Рассчитаем номиналы резисторов смещения


Возьмём типовое значение в 1 кОм


Рассчитаем сопротивление фильтра по:

Рассчитаем сопротивления базового делителя по формулам, обозначив Rд1 нижнее плечо (на землю), а Rд2 – верхнее.



Емкости эмиттерного конденсатора Сэ и конденсатора фильтра рассчитаем по формулам (5.23) и (5.24):

На этом расчет режима питания каскада закончен.

Коэффициент усиления апериодического каскада рассчитывается по формуле:


Получаем значение: Ко = 10.

Принципиальная схема блока УПЧ представлена на рисунке 6.


Рисунок 6. Принципиальная схема УПЧ

Раздел: Коммуникации и связь
Количество знаков с пробелами: 54652
Количество таблиц: 8
Количество изображений: 24

Похожие работы






. схемы цифровых РПУ и сделаны выводы об их преимуществах, и применении в современной авиационной радиоэлектронной аппаратуре. 1.Обзор современных схем построения ЦРПУ 1.1 Схемы построения цифровых РПУ Обобщенная схема цифрового радиоприемного устройства представлена на рисунке 1. Рисунок 1 Развитие техники и технологии цифровых интегральных схем привело к тому, что заключительное .

. Подпись Дата ЗАКЛЮЧЕНИЕ. В данном курсовом проекте, в соответствии с заданием, спроектирован радиоканал цифровой радиосвязи с разработкой радиоприемного устройства и с электрическим расчетом усилителя радиочастоты. Проведен энергетический расчет радиоканала. При обосновании и выборе структурной схемы радиоприемника, сделан анализ возможных схем радиоприемника, .






. полезных сигналов, а также динамический диапазон сигналов на выводе РПрУ не должно превышать 10 дБ. 4 Анализ и моделирование структуры РПУ Так как для общих характеристик радиоприемного устройства исходными данными для расчета являются не только диапазон рабочих частот, но и параметры приемной антенны, такие как емкость, индуктивность, активное сопротивлении и тд. Следовательно будем .






. К тому же дробный детектор более чувствителен и требует на входе напряжения порядка 0.05 – 0.1 В. Благодаря этим свойствам детектор отношений нашел широкое применение в технике радиоприемных устройств. Рис 3.5 Определяем индуктивность катушки L3, при условии, что L1=0.849мкГн. (3.77) Находим конструктивные коэффициенты связи между индуктивностями L1 и L2, а также L3 и .

Читайте также: